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公开(公告)号：CN118501084A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410716547.5
申请日：2024-06-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/59 , G01N21/55 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹快速成像扫描方法以及成像系统，所述太赫兹成像系统包括：承载装置，包括转动驱动机构以及与转动驱动机构的转动端相连接的载物台，所述载物台的表面用于承载被测样品；检测装置，包括太赫兹发射机构、传输光路机构、反射光路采集探测器以及透射光路采集探测器；直线驱动装置，包括相连接的直线驱动机构以及滑动座，所述直线驱动机构用于驱使滑动座做相对直线运动，所述承载装置或检测装置安装于所述滑动座上。本发明的太赫兹快速成像扫描方法以及成像系统能够提升扫描速度、实现被测样品的透射和反射以及偏振成像的同步采集、简化成像系统的结构，降低成像系统的制造成本。
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公开(公告)号：CN118039550A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310085049.0
申请日：2023-02-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种晶圆夹具、晶圆湿法腐蚀设备以及晶圆湿法腐蚀工艺，所述晶圆夹具包括：第一夹持件；第二夹持件，其上具有腐蚀孔，所述第二夹持件与所述第一夹持件相连接用以夹紧晶圆；第一密封圈，安装于所述第一夹持件上；其中，晶圆夹持于所述第一夹持件和第二夹持件之间时，所述第一密封圈、第一夹持件以及晶圆的保护面共同围成一密闭空间。本发明实施方式的晶圆夹具进行的湿法腐蚀工艺具有效率更高，晶圆的报废率低的优点。
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公开(公告)号：CN118033799A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310097553.2
申请日：2023-02-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种布阵系统、金属线栅偏振片制作装置和方法，该布阵系统，用于制作偏振片的金属线栅，包括金属丝盘，以及对来自金属丝盘的金属丝依次进行张紧、退火和收卷的张紧轮、加热装置和卷筒组件，所述卷筒组件包括滚筒、可驱动所述滚筒转动的旋转电机、以及可驱动所述滚筒轴向移动的直线运动电机。固定系统用以对来自所述卷筒组件的金属丝进行封装。本发明利用机械缠绕法制备无基底金属线栅偏振片，工艺简单，自动化制备金属线栅偏振片设备成本低。
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公开(公告)号：CN115773814A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111030712.4
申请日：2021-09-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种单片集成的HEMT太赫兹探测器阵列结构及其应用。所述太赫兹探测器阵列结构包括呈阵列排布的多个太赫兹探测单元，每一太赫兹探测单元内包括太赫兹探测器、放大器模块和开关模块，太赫兹探测器与放大器模块、开关模块电连接，其中，放大器模块用于将太赫兹探测单元内产生的响应信号放大后通过开关模块输出。本发明通过全HEMT工艺，将太赫兹探测器、放大器模块和开关模块集成于同一太赫兹探测器阵列芯片上，实现了高增益、高带宽、低噪声的太赫兹探测器，提升了探测器的灵敏度，并节约了成本。
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公开(公告)号：CN110954504A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811127905.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种利用太赫兹波检测薄膜的折射率的元件，包括：谐振腔和超表面结构，超表面结构设置于谐振腔内，超表面结构能够使进入谐振腔内的太赫兹波产生强局域电场；其中，当元件对待测薄膜进行检测时，待测薄膜覆盖于超表面结构上。本发明把超表面结构设置在谐振腔内，利用超表面结构对电磁场的局域增强和对周围环境介质的敏感性，使折射率检测元件在待测薄膜的厚度在微米/十微米级的情况下也能使透射信号的透射峰频率发生偏移，以此检测出待测薄膜的折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653838B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510740432.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/32 , H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的孔结构，所述基于V型坑的孔结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的孔结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。
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公开(公告)号：CN106248615B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201510299847.9
申请日：2015-06-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N21/3581 , G01J4/04
Abstract: 本发明公开一种太赫兹波检偏器，其包括：总漏极、总电子沟道、若干太赫兹波探测器；所述总漏极位于所述总电子沟道之上；所述若干太赫兹波探测器间隔排列在所述总电子沟道上，且所述太赫兹波探测器与所述总电子沟道连通。本发明通过利用自混频太赫兹波探测器的太赫兹天线的极化探测特性，通过利用一组太赫兹波探测器的组合来实现太赫兹波偏振特性的快速检测，从而通过利用自混频太赫兹波探测器高速、高灵敏度和低噪音的优异特性实现太赫兹波偏振特性的超快检测。
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公开(公告)号：CN108225555A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611157953.4
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种探测芯片与太赫兹波导的集成组件，包括太赫兹波导和探测芯片，其中，所述探测芯片集成在所述太赫兹波导上。本发明通过将太赫兹探测芯片与太赫兹波导集成为一集成组件，利用具有喇叭状空心结构的波导收集部将入射太赫兹波毫米级大小的光斑汇聚到百微米量级，使得大部分的入射太赫兹波能够进入到波导传输部的内部进行传输，增强了入射太赫兹波的有效利用率，从而实现太赫兹探测芯片对太赫兹波的高灵敏度的直接探测以及外差探测。
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公开(公告)号：CN107689379A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610633443.3
申请日：2016-08-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L29/775 , H01L21/335 , G01Q60/00
CPC classification number: H01L27/1203 , G01Q60/00 , H01L21/84 , H01L29/66439 , H01L29/775
Abstract: 本发明提供了一种扫描探针及其制备方法。所述扫描探针包括：衬底，包括平板部以及由所述平板部的一端延伸的呈针形的凸出部；静电探针，设置于所述凸出部之上；单电子晶体管，设置于所述平板部之上且与所述静电探针相对。所述制备方法包括：形成静电探针和单电子晶体管；形成第二子平板部和针形的第二子凸出部；形成第一子平板部和针形的第一子凸出部，并且使所述第一子凸出部的边沿超出所述第二子凸出部的边沿、使所述第一子平板部的边沿超出所述第二子平板部的边沿。本发明提供的扫描探针侧向刻蚀小、形貌好，可实现高速、高灵敏度、高分辨率电荷探测，其制备方法工艺简单，成品率高。
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公开(公告)号：CN107290815A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610200200.0
申请日：2016-03-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹波段的线栅结构，其包括第一圆环、第二圆环以及多根金属线，其中，所述第一圆环和所述第二圆环彼此贴合在一起，所述多根金属线等间隔夹设于所述第一圆环和所述第二圆环之间，每根金属线横跨所述第一圆环和所述第二圆环的内圆。本发明还提供了一种该线栅结构的制造装置。本发明制造金属线栅结构的方法简单，成品率较高，与传统光刻技术获得的线栅相比，可在提高性能的基础上大大降低了成本。此外，由于本发明的金属线栅结构是利用自动控制通过缠绕法绕制后分离而成，没有衬底支撑消除了干涉的影响，因此提高了偏振传输性能。
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