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公开(公告)号：CN104078335A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410307391.1
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/04
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02598 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。
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公开(公告)号：CN111422860B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010137684.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN111072022A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911264433.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/205 , C01B32/21
Abstract: 本申请提供一种石墨薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取镍衬底；将固态碳源覆盖于镍衬底的上表面，固态碳源与镍衬底的上表面紧密接触；将已覆盖固态碳源的镍衬底放入无氧反应器中；对镍衬底进行加热使镍衬底的温度达到设定温度，设定温度的范围为500-1500摄氏度；将镍衬底在设定温度保持设定时间；对镍衬底进行降温使镍衬底的温度降至室温；去除镍衬底的上表面残余的固态碳源，镍衬底的上表面和下表面均获得石墨薄膜。本申请提供的石墨薄膜的制备方法重复性高、简单易行，能够用于大面积高质量石墨薄膜的规模批量制备；且该方法能够利用固态碳源在镍衬底上下表面制备出大面积、高质量、层数可控、分布均匀且可转移的石墨薄膜。
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公开(公告)号：CN110683533A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911139788.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；将所述结合体放入装有溶剂的密闭容器中加热至预设温度，并保持预设时间，其中所述结合体在所述密闭容器中的位置高于所述溶剂的液面；降温处理，即得目标石墨烯产物。本发明解决了现有技术中制备不同堆垛关系的双层石墨烯存在的步骤多、工艺复杂的问题，相对于现有技术，本发明的制备方法更加简单，且能够显著改变双层石墨烯的耦合性。
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公开(公告)号：CN106756871B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611019332.X
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法。方法包括：步骤A：分别提供衬底、源物质Ⅰ、源物质Ⅱ、以及碳源，将衬底升温，在保护气氛下使碳源溶解到衬底的表面，源物质Ⅰ与源物质Ⅱ分别受热挥发，进一步在溶解有碳的衬底的表面沉积并反应生成一种过渡金属硫族化合物二维材料；步骤B：控制衬底以一定的降温速率进行降温，在过渡金属硫族化合物二维材料与衬底的界面处析出石墨烯，从而获得一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构。本方法生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为后期制备过渡金属硫族化合物二维材—石墨烯相关的微电子器件奠定了良好的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106248649A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610622357.2
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法，所述基底为表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底，金属颗粒修饰于多孔结构石墨烯表面。制备方法包括：(1)制备表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底；(2)将金属颗粒分散覆盖于多孔结构的石墨烯表面。本发明既具备石墨烯的亲生物活性又结合了金属增强效应，其中石墨烯的多孔结构有助于吸附更多待检测分子，石墨烯上的金属颗粒有助于产生增强电磁场，放大待检测分子的拉曼信号，有利于对分子的检测；制备方法简单，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103900870B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410075073.7
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。
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公开(公告)号：CN104807810A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
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公开(公告)号：CN104030274A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410231250.6
申请日：2014-05-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属，在金属上表面涂一层有机胶体，然后放到腐蚀液中，得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体，再将三者的结合体转移到目标衬底上并去除有机胶体，将得到的金属和石墨烯的结合体再次放到腐蚀液中，待金属层被去除，即得到转移好的石墨烯。与传统的湿法腐蚀化学转移方法相比，本方法在旋涂有机胶体之前在石墨烯表面沉积一层金属，阻挡石墨烯和有机胶体的直接接触，有效地避免了转移后有机胶体在石墨烯表面的残留。
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公开(公告)号：CN110683533B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911139788.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；将所述结合体放入装有溶剂的密闭容器中加热至预设温度，并保持预设时间，其中所述结合体在所述密闭容器中的位置高于所述溶剂的液面；降温处理，即得目标石墨烯产物。本发明解决了现有技术中制备不同堆垛关系的双层石墨烯存在的步骤多、工艺复杂的问题，相对于现有技术，本发明的制备方法更加简单，且能够显著改变双层石墨烯的耦合性。
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