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公开(公告)号:CN102426342B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201110254078.2
申请日:2011-08-31
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: G01R33/035
摘要: 本发明公布了一种基于三端变压器的SQUID前端电路与其调整方法。三端变压器由绕制在同一个磁环上的三组线圈构成,三端变压器原边(1)和(2)用于实现SQUID磁通信号传输和方波偏置波形的补偿,副边主要用于信号输出;通过在SQUID并联支路加入合成波形,可实现SQUID偏置为理想的方波偏置电流,并可借助补偿支路对输入前置放大器的偏置载波进行补偿。本发明还提供了前端电路的调整方法,主要思路是采用低频调节-高频使用,包括偏置电流调整与工作点测定、合成波形调整、波形补偿和高频微调步骤。
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公开(公告)号:CN103143057A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201110448776.6
申请日:2011-12-28
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要: 本发明涉及一种石墨烯/生物活性干凝胶及其制备工艺与应用。其组分包括石墨烯和生物活性干凝胶,所述生物活性干凝胶包含如下摩尔百分含量的组分:CaO25~80mol%,SiO20~70mol%,B2O30~70mol%,P2O52~10mol%;所述石墨烯的含量为0.0024-0.024wt%。本发明将石墨烯引入生物活性干凝胶中,使其矿化时间从正常的7-30天缩短到0.5到5小时;所用的溶胶凝胶制备工艺可以彻底避免高温合成过程,从而满足了与药物、细胞或生长因子复合制成具有骨组织生长促进和治疗功能的生物医用修复或填充材料的要求。
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公开(公告)号:CN103072977A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201310036671.9
申请日:2013-01-30
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: C01B31/04
CPC分类号: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/184
摘要: 本发明涉及一种在空气气氛中快速热处理制备石墨烯粉体方法,为将石墨烯的前驱体置于非密封有盖坩埚中,然后在空气气氛中进行热处理,即得到石墨烯的粉体;或者将石墨烯前驱体与含氮化合物均匀混合再置于非密封有盖坩埚中热处理即制得氮掺杂的石墨烯粉体;本发明不需要惰性气体或还原性气体保护,因而对于设备的要求降低,将石墨烯的热处理温度降低到250-850℃,极大地扩展了石墨烯的热处理温度区间,并且降低了能耗;实现石墨烯的可控氮掺杂,可控掺杂有利于拓展石墨烯粉体的应用。
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公开(公告)号:CN102433544A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201210007583.1
申请日:2012-01-11
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南京航空航天大学
CPC分类号: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
摘要: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法,以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源,采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法,其制造成本大大降低,在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN101894906A
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN201010202118.4
申请日:2010-06-13
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: H01L39/24
摘要: 本发明公开了一种超导台阶结的制备方法,其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜,将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶,再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上;利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力,使所述的超薄超导单晶紧密附着于衬底之上,使所述的超薄超导单晶在衬底台阶附近呈现台阶结构,最后再利用微加工工艺构造微桥结构,成为一定宽度的超导台阶结。包括以下步骤:1)台阶衬底制备;2)超导单晶薄片的剥离并吸附于台阶衬底;3)保护和选择;4)台阶结制备。本发明无需复杂的薄膜生长工艺,采用非常少量的超导单晶即可实现;单晶材料的超导性能要比薄膜材料好。
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公开(公告)号:CN104992905B
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201510307155.4
申请日:2015-06-05
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: H01L21/306
摘要: 本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,包括如下步骤:S1:提供一六角氮化硼衬底;S2:在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层,并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形;S3:在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层;S4:剥离所述掩膜层及其表面的金属层;S5:对所述六角氮化硼衬底进行退火,然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层,在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。本发明不仅可以控制六角氮化硼图形化的形状,大小,还可以选择刻蚀区域,同时可以通过反复刻蚀,控制刻蚀台阶的高度,解决了基于六角氮化硼薄膜器件的图形化加工难题。
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公开(公告)号:CN104353127B
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201410654104.4
申请日:2014-11-18
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要: 本发明涉及一种基于石墨烯量子点与蚕丝蛋白的抗菌复合材料、制备及应用,其特征在于石墨烯量子点或掺杂的石墨烯量子点与蚕丝蛋白的质量比为1:1-1:10000;所述的掺杂的石墨烯量子点为含有掺杂原子的具有弱氧化或还原性的或易发生配位作用的非金属化合物,金属化合物或有机化合物,掺杂剂的浓度为0.01-10mM;所述的蚕丝蛋白分子量为1000-10000000Da。在可见光或暗场下大量生成具有抗菌能力的羟基自由基能力,尤其是掺杂B的石墨烯量子点与蚕丝蛋白的复合材料更显示出优异的抗菌能力。可作为体内抗菌材料或伤口缝线材料直接用于生物体内。
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公开(公告)号:CN106058036A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610404295.8
申请日:2016-06-08
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要: 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法,该结构包括:第一超导层;位于所述第一超导层之上的第一介电层;位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层;位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层;位于所述第二介电层之上的第二超导层;与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层,利用超导薄膜作为磁场屏蔽,可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性,并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。
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公开(公告)号:CN103646855B
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201310713413.X
申请日:2013-12-20
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: H01L21/04
摘要: 本发明提供一种石墨烯器件的制作方法,所述石墨烯器件的制作方法至少包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上形成PVA层;在所述PVA层上形成PMMA层;在所述PMMA层上形成石墨烯器件;将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMMA层和所述石墨烯器件放入去离子水中,以溶解所述PVA层,使得所述PMMA层和所述石墨烯器件与所述第一衬底脱离;将所述PMMA层和所述石墨烯器件转移第二衬底上。本发明采用PMMA做支撑层,同时利用PVA作为牺牲层,然后,再通过去除PVA,使得形成在PMMA层上的石墨烯器件连同所述PMMA层一同脱离第一衬底,再与第二衬底(本实施例中为聚酰亚胺衬底)黏结,从而实现将石墨烯器件形成在第二衬底上。这样可以扩大石墨烯器件的应用范围。
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公开(公告)号:CN103935999B
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201410196412.7
申请日:2014-05-09
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: C01B31/04
摘要: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法,其特征在于以天然石墨为原料,极性溶剂为分散介质,在石墨烯量子点辅助下通过机械剥离方法制备高质量石墨烯,主要利用石墨烯量子点在极性溶剂中良好的分散性,及其与石墨烯/石墨烯片层之间较强的非共价键结合,促进天然石墨的剥离和石墨烯纳米片在极性溶剂中的分散,从而获得高质量的石墨烯。本发明是在不引入表面活性剂、无机盐类、有机盐类等其他杂质的情况下从天然石墨直接获得石墨烯粉体。与已有方法报道不同,本发明所述的方法工艺简单,可在多种极性溶剂中进行,所得石墨烯产率最高可达50%,质量好,且用作辅助剥离的石墨烯量子点可循环使用,因此这种方法非常适合大批量制备石墨烯。
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