-
公开(公告)号：CN103924274A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310009242.2
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增强泡沫铜抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入镍盐溶液中，并连接电源阴极；另取一导电材料作为阳极；在阴阳两极之间加上一定电压，一段时间后切断电压；得到的泡沫铜表面会覆盖一层镍薄膜，使得泡沫铜抗氧化性能明显提高，并且不会对泡沫铜的导热、导电等性能产生明显影响。本发明重复性高、简单易行。
-
公开(公告)号：CN103896262A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410075061.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，包括：配制水合肼溶液，然后将石墨烯样品放入水合肼溶液中1min-12h，取出后吹干，得到无损掺杂石墨烯。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜，而且对石墨烯薄膜没有破坏作用；本发明能够通过改变水合肼溶液浓度及其与目标衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的迁移率；本发明克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
-
公开(公告)号：CN102344131B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110187773.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。
-
公开(公告)号：CN114122194B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111406267.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程中精确控制实验参数，即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结；通过改变X蒸汽的引入时间，还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数；本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利，没有产生合金现象，且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便，适用性较广，从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
-
公开(公告)号：CN115505859B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211368131.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C22F1/08 , C23C8/20 , C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，包括以下步骤：S1：铜基合金衬底退火；S2：通入碳源开始石墨烯生长，按氢碳比的不同分为三个阶段：第一阶段，以（80~10000）:1的高氢碳比气氛维持一定时间，使石墨烯无法在衬底表面形成，保证足量碳源均匀溶入铜基合金衬底；第二阶段，相比第一阶段降低气氛中的氢碳比使其低于80:1，维持一定时间，使衬底表面迅速形成单层石墨烯；第三阶段，相比第二阶段同时降低氢气和碳源浓度并降温，实现多层石墨烯生长；S3：结束生长。本发明方法操作简单，重复性好，不仅可以明显提高铜基合金衬底上多层石墨烯的覆盖率，而且有利于提高多层石墨烯层数均匀性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111422860B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010137684.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。
-
公开(公告)号：CN114122194A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111406267.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程中精确控制实验参数，即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结；通过改变X蒸汽的引入时间，还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数；本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利，没有产生合金现象，且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便，适用性较广，从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
-
公开(公告)号：CN111072022A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911264433.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/205 , C01B32/21
Abstract: 本申请提供一种石墨薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取镍衬底；将固态碳源覆盖于镍衬底的上表面，固态碳源与镍衬底的上表面紧密接触；将已覆盖固态碳源的镍衬底放入无氧反应器中；对镍衬底进行加热使镍衬底的温度达到设定温度，设定温度的范围为500-1500摄氏度；将镍衬底在设定温度保持设定时间；对镍衬底进行降温使镍衬底的温度降至室温；去除镍衬底的上表面残余的固态碳源，镍衬底的上表面和下表面均获得石墨薄膜。本申请提供的石墨薄膜的制备方法重复性高、简单易行，能够用于大面积高质量石墨薄膜的规模批量制备；且该方法能够利用固态碳源在镍衬底上下表面制备出大面积、高质量、层数可控、分布均匀且可转移的石墨薄膜。
-
公开(公告)号：CN110683533A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911139788.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；将所述结合体放入装有溶剂的密闭容器中加热至预设温度，并保持预设时间，其中所述结合体在所述密闭容器中的位置高于所述溶剂的液面；降温处理，即得目标石墨烯产物。本发明解决了现有技术中制备不同堆垛关系的双层石墨烯存在的步骤多、工艺复杂的问题，相对于现有技术，本发明的制备方法更加简单，且能够显著改变双层石墨烯的耦合性。
-
公开(公告)号：CN106756871B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611019332.X
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法。方法包括：步骤A：分别提供衬底、源物质Ⅰ、源物质Ⅱ、以及碳源，将衬底升温，在保护气氛下使碳源溶解到衬底的表面，源物质Ⅰ与源物质Ⅱ分别受热挥发，进一步在溶解有碳的衬底的表面沉积并反应生成一种过渡金属硫族化合物二维材料；步骤B：控制衬底以一定的降温速率进行降温，在过渡金属硫族化合物二维材料与衬底的界面处析出石墨烯，从而获得一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构。本方法生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为后期制备过渡金属硫族化合物二维材—石墨烯相关的微电子器件奠定了良好的基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.042 seconds)
