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公开(公告)号：CN108051456A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711203341.9
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种X‑CT系统用测量夹具，属于测试夹具领域。所述测量夹具包括：样品台，底面设置与扫描转台匹配的定位凹台；载片柱，下部与所述样品台固定连接，且所述载片柱的旋转轴与所述样品台的旋转轴平行，中部为柱体，上部为设置在所述柱体顶面上、与所述柱体成一体结构的透明薄板；胶片，用于粘结待测器件，设置在所述透明薄板的表面。上述技术方案中，透明薄板不会相对样品台产生相对位移，进而微小器件也不会发生位移，测量结果准确、可靠，同时透明薄板减小了对X射线的衰减，实现了用X‑CT高准确度地测量微小器件的结构，填补了微小器件测试夹具的空白。
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公开(公告)号：CN114241023B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111527188.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于亚像素图像配准技术领域，提供了亚像素图像配准方法、装置及终端设备，该亚像素图像配准方法包括：获取目标物体的参考图像、目标物体的待配准采集图像；对待配准采集图像和参考图像进行傅里叶变换；对经过傅里叶变换后的待配准采集图像进行带限处理，过滤掉待配准采集图像中的无效信息；基于参考图像对经过带限处理的待配准采集图像进行配准。本申请解决了现有相位相关法在高放大倍率下会发生失效的问题。
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公开(公告)号：CN113962877B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110832668.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/80
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN116087620A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310123457.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种片内热阻测试方法、装置、终端及存储介质，本发明方法首先根据多个电流以及与所述多个电流相对应的多个电极温升，构建电极的温升曲线；然后，根据热波的穿透特性以及所述温升曲线，确定目标电流，其中，所述目标电流产生的热波穿透所述功能层以及所述衬底层并抵达所述衬底层与所述粘结层的边界；最后，根据目标温升确定所述芯片的片内热阻，其中，所述目标温升根据所述目标电流以及所述温升曲线确定。本发明方法能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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公开(公告)号：CN114993505A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210635536.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/125 , G01J5/07 , G01J5/02 , G01J5/061 , G01J5/48
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种实现热反射成像测温的自动重聚焦的方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的矩形区域，计算矩形区域清晰度；参考图像为温度不变时聚焦清晰的图像；基于被测件温度变化和矩形区域清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算矩形区域清晰度；当前测量图像仍包含矩形区域；通过判断当前被测件的温度、三轴纳米位移台的位移和当前矩形区域清晰度是否满足预设温度阈值条件、预设位移阈值条件和预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的热反射成像测温奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114295954A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
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公开(公告)号：CN113790818A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110913427.0
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反射率，作为第二反射率；控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度，将待测件通电，待待测件的温度稳定后，采集通电待测件的反射率，作为第三反射率；根据第一反射率对第三反射率进行校正，得到校正后的第三反射率；根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正，可以有效消除随机干扰，提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN110310312B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910615299.4
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/33
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，基于互相关度，得到选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移量和零平移点的平移量的差值与预设平移量进行比较，对本次平移图样进行不同的操作更新，获得下一次平移图样，并基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN112525385A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011134908.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻测量仪器校准系统，包括：校温装置、测温装置、上位机和热阻标准件；校温装置用于控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压；测温装置用于向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；上位机用于根据预设温度、第一结电压、第二结电压确定热阻标准件的标准热阻值，标准热阻值用于对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112067136A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010870967.0
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种用于光热反射显微热成像的漂移修正方法及装置，该方法包括：对获取遮断物镜侧光路采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，得到第二图像；采集参考图像和待修正图像并确定温度升高发生的区域；在温度未发生变化的区域内，根据第二图像、参考图像和待修正图像计算修正系数；根据修正系数修正待修正图像的所有像素。本发明采用的光热反射显微热成像装置中增加了调制片和调光装置，并对遮断物镜侧光路后采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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