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公开(公告)号：CN110207842B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910584992.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向以预设距离移动，直到不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数误差值小于或等于预设误差阈值时，确定完成亚像素级边缘效应的修正，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的亚像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN106098582A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610628267.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L22/14 , B81C1/00015 , G01R31/2607 , H01L22/34
Abstract: 本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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公开(公告)号：CN105785304A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610307574.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
CPC classification number: G01R35/007
Abstract: 本发明公开了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件及其制备方法，涉及计量技术领域。本发明的标准件包括衬底，在衬底上注入硼离子，在注入硼离子的衬底上设有若干对金属电极，每一对金属电极构成一个独立单元，在同一个衬底上的所有的金属电极的高度和长度相同，不同独立单元中的金属电极两个电极之间的间距均相等，金属电极的宽度是自同一衬底的行和列的一端开始呈递增或递减排列；衬底的外形尺寸及金属电极的外形尺寸和个数根据需要校准的目标阻值而定。本发明提出的标准件具有良好的重复性和长期稳定性，可以满足高值电阻测量系统计量校准的需要，确保量值准确一致。
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公开(公告)号：CN104977088A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510437149.0
申请日：2015-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种微波功率器件瞬态温度测量系统及其数据处理方法，涉及微波功率器件温度测量装置或方法技术领域。所述测量系统包括：红外辐射探测器，与放大大路的信号输入端连接，用于采集微波功率器件发出的红外辐射信号；放大电路，与数据采集卡的信号输入端连接，用于将采集的红外辐射信号进行放大处理；数据采集卡，与工控计算机进行双向数据交互，用于根据工控计算机的控制进行数据采集；工控计算机，用于处理数据采集卡采集的数据，并将采集卡采集的电信号转换为温度数据进行存储并显示。通过所述测量系统能够实现对微波功率器件周期性和非周期性的任意瞬态温度的测量，且测量速度快，精度高。
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公开(公告)号：CN103049639B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210423663.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京经纬恒润科技有限公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于蒙特卡洛法的噪声参数测量不确定度评定方法，属于测试计量领域。本发明以等效噪声参数方程作为噪声参数测量不确定度评定的测量模型，并利用从测量平台测得的物理量求解函数方程，得到反映等效噪声参数分布情况的数据，并从等效噪声参数导出噪声参数及其分布，最后得到噪声参数测量的不确定度。该方法有效的结合了数学随机仿真、物理测量边界判据和最小二乘法优化判据，使得噪声参数不确定度评定更加有效、真实、可靠；该方法符合国际标准，仿真方式灵活，可应用的测量系统种类多，普适性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103675019A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310669324.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种红外热像仪快速测量材料表面发射率的方法，涉及红外热成像温度测量技术领域，包括红外热像仪、黑盒及加热平台，其测试步骤如下：1）获取红外热像仪对环境温度下黑盒的响应；在保持环境温度不变的情况下，该过程只进行一次就足够，其数据将存入计算机以备调用。2）将被测物加热到一个比较高的温度一般大于等于70℃，获取红外热像仪对于被测物的响应；3）依据公式进行运算既可以得到准确的发射率测量结果。该测量方法对于红外热像仪，仅需对红外热像仪增加一个辅助装置，能够快速测量复杂材料表面的发射率，提高红外热像仪发射率检测速度及检测效率，同时保证检测结果的准确可靠，扩大红外热像仪的使用范围。
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公开(公告)号：CN103372826A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310310947.8
申请日：2013-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微波功率器件显微红外结温检测的通用测试夹具，属于红外测温技术领域，其结构为分体式结构，主要由底座、中间载体和两块电路载体三个部分组成，底座上设置两块电路载体和一块中间载体，两块电路载体平行设置，并且处于同一平面，在两块电路载体之间设有中间载体，电路载体和中间载体之间均留有间隙，电路载体上设置有测试电路板，两个电路载体上的测试电路板通过被测器件的管腿连通，被测器件固定于中间载体上。本发明具有较高的通用性和易操作性，大大提高了检测效率，降低人力、物力成本，缩短产品研制周期。
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公开(公告)号：CN115200721B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210633557.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像膨胀补偿方法、装置及电子设备。该方法包括：获取被测器件在当前环境条件下的初始图像。计算初始图像相对于被测器件标准图像的缩放系数，其中标准图像是显微系统在像距为成像透镜焦距、物距为物镜焦距的条件下获取的图像。根据缩放系数确定与当前环境条件相匹配的目标像距与目标物距。设置显微系统的像距为目标像距、物距为目标物距，获得被测器件膨胀补偿后的热反射显微热成像图像。本发明能够根据被测器件热膨胀前后图像的缩放系数，调整显微系统的像距与物距，实现放大倍率等于初始放大倍率除以缩放系数，对应调整被测器件热成像的图像尺寸，实现了热成像膨胀补偿，降低了被测器件热膨胀引起的热成像测温误差。
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公开(公告)号：CN114295954B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
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公开(公告)号：CN116184028A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310122061.4
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种贴片电极及片内热阻测试方法，本发明实施方式公开的一种贴片电极，利用该高热导率材料，能够显著降低贴片式电极对测试结果带来的影响，简化3ω测试的工艺准备流程，推动3ω方法的推广应用。本发明提供的的贴片式电极，能够克服传统半导体工艺方案工艺难度大、无法对芯片成品进行测试的缺陷，同时采用金刚石基底材料及金属焊接结合工艺，能够最大程度减小贴片电极对测试效果的影响，实现被测材料热特性的的快速、准确测试。本发明片内热阻测试方法实施方式，能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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