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公开(公告)号：CN112097952B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010872416.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置、漂移修正方法及漂移修正装置，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；所述调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的准直透镜和分束器之间，且位于所述准直透镜的焦面上；所述调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经所述调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN115219040A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210634977.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了瞬态热反射测试方法、系统、装置及终端设备，该瞬态热反射测试方法包括：获取被测器件的热反射系数和被测器件在周期激励条件下热平衡后的平均温度；在周期激励条件不变的情况下，选定测量时延和参考时延，基于测量时延和参考时延，得到相机测量灰度值和相机参考灰度值；基于相机测量灰度值、相机参考灰度值、热反射系数和平均温度，得到测量时刻被测器件的温度；将被测器件的温度按照测量时延从小到大的顺序排序，得到被测温度随时间的变化情况。本申请瞬态热反射测试结果受强度漂移的影响较小，提高了测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN115200720A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN113962877A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110832668.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN113866511A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110989553.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种在片电容测量系统和测量方法。其中。在片电容测量系统包括：电容测试设备；探针测试系统，包括探针座，对称分布在探针座两侧的第一组探针和第二组探针，以及设置在探针座上的第一组连接线和第二组连接线，第一组连接线与第一组探针连接，第二组连接线与第二组探针连接；标准电容、开路器和在片直通线，用于与电容测试设备和探针测试系统连接；通过电容测试设备、探针测试系统、标准电容、开路器和在片直通线测试待测在片电容的电容值。本发明提供的在片电容测量系统，可实现待测在片电容参数到标准电容的溯源，从而保证待测在片电容的测量结果与现有溯源体系下的标准电容结果之间的可比性，从而实现在片电容的准确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983411A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010663553.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
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公开(公告)号：CN109813435B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811633816.2
申请日：2018-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明提供了一种静态光反射显微热成像方法、装置及终端设备，同时获取被光源区域A的图像和被测目标区域B的图像，通过光源区域A的像素读数，获取被测目标区域B的漂移修正系数；在M个不同温度下获取每个温度下被测目标区域B的N帧图像，计算被测目标区域B中任一像素bk的读数均值获得bk所对应的M个数据对；进行线性拟合得到斜率β并根据β计算bk所对应的光热反射系数CTR(bk)；分别计算参考温度T0下bk的读数均值和待测温度Tx下bk的读数均值根据T0、CTR(bk)、和计算bk的待测温度Tx(bk)。解决了基于相机的热成像技术需要对被测目标的温度进行调制的问题。
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公开(公告)号：CN106526322B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610956483.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包括高值电阻测量仪器、探针系统，高值电阻测量仪器和探针系统通过线缆连接，探针系统包括探针一组和探针二组，所述高值电阻测量仪器与探针一组连接或与探针二组连接。其溯源方法为，高值电阻测量仪器通过线缆与探针一组连接，标准高值电阻通过线缆与探针二组连接；在片直通对接线连接探针一组和探针二组。本发明的测量系统能够提供可溯源的在片高值电阻参数测试数据，使得在片高值电阻测试数据的准确性可验证，不同系统的测试数据之间可比较。其溯源方法可以实现参数溯源并提供关于测试数据的不确定度信息。
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公开(公告)号：CN105785304B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610307574.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件，涉及计量技术领域。本发明的标准件包括衬底，在衬底上注入硼离子，在注入硼离子的衬底上设有若干对金属电极，每一对金属电极构成一个独立单元，在同一个衬底上的所有的金属电极的高度和长度相同，不同独立单元中的金属电极两个电极之间的间距均相等，金属电极的宽度是自同一衬底的行和列的一端开始呈递增或递减排列；衬底的外形尺寸及金属电极的外形尺寸和个数根据需要校准的目标阻值而定。本发明提出的标准件具有良好的重复性和长期稳定性，可以满足高值电阻测量系统计量校准的需要，确保量值准确一致。
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公开(公告)号：CN115200720B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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