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公开(公告)号：CN116034455A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202280005781.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b‑1)使用由第一处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含有氟化氢气体和控制氟化氢与含硅膜的反应的反应控制气体，第一处理气体中，作为反应控制气体，含有促进反应的反应促进气体和抑制反应的反应抑制气体中的至少一者；和(b‑2)使用由含有氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，第二处理气体中，以比第一处理气体中的反应促进气体小的分压含有促进反应的反应促进气体、和/或以比第一处理气体中的反应抑制气体高的分压含有抑制反应的反应抑制气体、或不含有反应控制气体。
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公开(公告)号：CN116018670A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202280005782.0
申请日：2022-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种提高蚀刻的选择比的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；和(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将含硅膜进行蚀刻从而形成凹部的工序，其中，蚀刻进行到基底膜在凹部处露出之前为止或者到基底膜的一部分在凹部处露出为止，和(c)在与(b)的工序不同的条件下，在凹部处将含硅膜进一步进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN115885369A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180052527.7
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器，所述蚀刻方法包含以下工序：将所述具有被蚀刻膜的基板配置在所述基板支撑器上的工序；将包含HF气体的处理气体供给至所述腔室内的工序；利用具有第一频率的高频在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序；以及利用比所述第一频率还低的第二频率将脉冲电压周期性地施加至所述基板支撑器的施加工序。
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公开(公告)号：CN114175214B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080005420.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN110029325B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910022599.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的步骤之后，反复执行包括第一步骤和第二步骤的流程，即：第一步骤，在被处理基片的所述图案上形成沉积膜；第二步骤，仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。由此，不论进行成膜的等离子体处理的进展程度如何，都能够使被处理基片上的膜的形成方式相同。
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公开(公告)号：CN114551235A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111359218.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 一种方法，包括：将基材提供在基材加工设备的加工腔室中，该基材具有包含氧化硅膜的第一区域和包含除了氧化硅膜之外的膜的第二区域；将氟化氢吸附在基材上；以及将具有吸收的氟化氢的基材暴露于由惰性气体生成的等离子体，以相对于第二区域选择性地蚀刻第一区域。
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公开(公告)号：CN114496769A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111286695.0
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 所发明的蚀刻方法包括向腔室内提供基板的工序。基板具有包含硅氮化膜的含硅膜。蚀刻方法包括在腔室内由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含含氟气体及含硼气体。在进行蚀刻的工序中，支撑基板的基板支撑器的温度设定为小于0℃的温度。
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公开(公告)号：CN111326395A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911265106.3
申请日：2019-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。
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公开(公告)号：CN109427576A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811019388.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，能够保护对含硅膜的蚀刻的耐性优异的掩模。一个实施方式的蚀刻方法在腔室主体内配置被加工物的状态下执行。蚀刻方法包括：在被加工物上形成钨膜的步骤；和对被加工物的含硅膜进行蚀刻的步骤。形成钨膜的步骤包括：向被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。在对含硅膜进行蚀刻的步骤中，在腔室主体内生成含氟、氢和碳的处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN109427561A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810971378.4
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。
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