公开(公告)号：CN112689896A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201980057579.6

申请日：2019-09-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·德维利耶 ,  坎达巴拉·塔皮利

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/07

Abstract: 一种半导体器件包括：具有基本平坦表面的衬底；第一逻辑门，该第一逻辑门设置在该衬底上并且包括具有第一沟道和第一对源极‑漏极区域的第一场效应晶体管(FET)；第二逻辑门，该第二逻辑门沿垂直于该衬底的表面的竖直方向堆叠在该第一逻辑门上方，该第二逻辑门包括具有第二沟道和第二对源极‑漏极区域的第二FET；以及接触件，该接触件将该第一FET的源极‑漏极区域电连接到该第二FET的源极‑漏极区域，使得在该第一逻辑门与该第二逻辑门之间流动的电流的至少一部分将沿所述竖直方向流动。

公开(公告)号：CN112189255A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201980032362.X

申请日：2019-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·克拉克 ,  理查德·法雷尔 ,  坎达巴拉·塔皮利 ,  安热利克·雷利 ,  索菲·蒂博

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了一种用于使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法，该公共生产平台托管成膜模块、刻蚀模块和搬送模块。将其上形成有心轴图案的工件接收到公共生产平台中。至少部分地基于心轴图案形成侧壁间隔物图案，该侧壁间隔物图案具有分隔开第二间距距离的多个第二特征，其中，第一间距距离大于该第二间距距离。集成的加工步骤序列是在不离开受控环境的情况下在公共生产平台内执行的，并且搬送模块用于在使该工件维持在受控环境内的同时在加工模块之间搬送工件。广义上讲，是使用选择性/保形沉积、刻蚀或注入技术来在公共生产平台上形成侧壁间隔物图案。