公开(公告)号：CN101842881B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980100872.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  山下润 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  福田良则

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。

公开(公告)号：CN101002509B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580024959.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  北川淳一 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供了一种等离子处理单元，包括：处理容器，其顶部开口，并且其中能产生真空；平台，其设置在所述处理容器中，用于在其上设置将被处理的物体；上板，其由电介质制成，所述上板密封地装配在所述开口中，并允许微波从其中穿过；平面天线元件，其设置在所述上板上或上方，所述平面天线元件具有多个微波辐射孔，以向所述处理容器内部辐射用于等离子发生的微波；慢波元件，其设置在所述平面天线元件上或上方，用于缩短微波的波长；和微波干扰抑制部，其设置在所述上板的下表面上，所述微波干扰抑制部将所述下表面分成多个同心区域，并在所述区域间抑制微波干扰。

公开(公告)号：CN101405846B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780009785.7

申请日：2007-08-27

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀胜 ,  盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种等离子体氧化处理方法。其是在等离子体处理装置的处理室内，利用含氧的处理气体，使用O(1D2)自由基的密度是1×1012[cm-3]以上的等离子体对被处理体的表面实施氧化处理，形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，利用VUV单色仪63测量等离子体中的O(1D2)自由基的密度，修正等离子体处理条件。

公开(公告)号：CN101834133A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010163894.8

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN101095224B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580045366.X

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN101069274B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680001335.9

申请日：2006-04-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一 ,  小林岳志

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273

Abstract: 通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内、以产生处理气体的等离子体的氮化处理工序，在多晶硅层(111)的表面上形成氮化区域(112)。接着，在氮化区域(112)上形成CVD氧化膜(113)等，将多晶硅层(111)等图案化为规定形状后，将氮化区域(112)作为氧化阻挡层，通过热氧化，在露出的多晶硅层(111)的侧壁部等上形成热氧化膜(114)。由此，能够利用温度比以往更低的工序抑制鸟嘴的产生。

公开(公告)号：CN101652842A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011183.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。

公开(公告)号：CN100587922C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580029122.2

申请日：2005-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32105

Abstract: 在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(100)中，使得腔室内压力为67～667Pa、温度为300～600℃以下、微波功率为1000～3500W、作为处理气体而使用100～2000mL/min的Ar气体、1～500mL/min的O2气体、并且将处理气体中的O2气体相对Ar气体的比例控制为0.5～5%，同时进行多晶硅的氧化。

公开(公告)号：CN101523574A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036177.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  盐泽俊彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在20％以上、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理体的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN103258706B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310051211.3

申请日：2013-02-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  福田良则 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其为从多个部位向处理容器内导入微波的方式的等离子体处理装置，分别监视通过多个微波生成的多个等离子体的状态。等离子体处理装置（1）具备将微波导入处理容器（2）内的微波导入装置（5）。微波导入装置（5）具有与顶部（11）的多个开口部嵌合的多个微波透过板（73）。发光传感器（92）分别设于微波导入装置（5）的各天线模块（61）。发光传感器（92）经由微波透过板（73）检测在微波透过板（73）的正下方的处理容器（2）内生成的等离子体的特定波长的发光。检测对象的波长基于通过从彼此相邻的两个微波透过板（73）分别导入的微波生成的两个等离子体的发光强度之比而被选择。