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公开(公告)号：CN1666155A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815397.1
申请日：2003-06-26
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L2051/0063
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光致抗蚀剂图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于该涂膜形成剂含有水溶性聚合物和含酰胺基的单体，或者含有至少含有(甲基)丙烯酰胺作为构成单体的水溶性聚合物。本发明还提供一种使用上述任何一种用于图案细微化的涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明，可以显著提高加热处理时用于图案细微化的涂膜形成剂的热收缩率，能够得到外形良好、具备现有半导体器件所要求特性的细微图案。
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公开(公告)号：CN1592871A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02821984.8
申请日：2002-11-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0277
Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，特征在于重复进行以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和除去所述用于图案细微化的涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以提供这样一种细微图案的形成方法，即在图案尺寸的控制性方面优良，可以用于形成具有良好外形和半导体器件所要求特性的细微图案，即使在使用具有膜厚为1.0μm左右以上的厚膜光刻胶图案的基板时，也可以得到具有良好外形的细微图案。
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公开(公告)号：CN1469432A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03147903.0
申请日：2003-06-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0035
Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，包括以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；除去附着在基板的端缘部和/或里面部的不需要的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂热收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和实质上完全除去所述涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以很好地控制图案尺寸，同时可以得到外形良好和具有半导体器件所要求特性的细微图案，还可以防止导致器件污染的颗粒的发生。
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公开(公告)号：CN1396627A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02140154.3
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基质上的光刻胶层的图案大小的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案大小，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N－乙烯基吡咯烷酮、N－乙烯基咪唑啉酮和N－丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N－乙烯基吡咯烷酮和N－乙烯基咪唑啉酮的共聚物。
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公开(公告)号：CN103969952B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201410152054.X
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/00 , C07C309/17 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07D493/18 , C07D333/46
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1‑1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w‑1)表示的离子除外)。
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公开(公告)号：CN103969952A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410152054.X
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/00 , C07C309/17 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07D493/18 , C07D333/46
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1-1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w-1)表示的离子除外)。
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公开(公告)号：CN102591160A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210078008.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , C08F226/10 , C08F226/06
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
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公开(公告)号：CN1947066B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200580012689.9
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/32 , C11D3/245 , C11D3/349 , C11D11/0041 , G03F7/322
Abstract: 本发明是提供一种可将接触角40度以下的容易润湿的抗蚀图案表面改质成接触角70度以上，可有效防止图案崩溃，制造高品质制品的新颖冲洗液。该冲洗液包含下述溶液，所述溶液含有选自通式(I)(式中的R1及R2是各自氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳原子数为1～5的烷基或取代烷基，R1与R2可以相互连接并与和两者结合的SO2及N一同形成五员环或六员环)、通式(II)(式中的Rf是氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳数1～5的烷基或取代烷基，m及n是整数2或3)、或通式Rf’-COOH(式中的Rf’是碳数8～20且至少一部分被氟化的烷基)表示的水或醇溶剂可溶性氟化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1947066A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012689.9
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/32 , C11D3/245 , C11D3/349 , C11D11/0041 , G03F7/322
Abstract: 本发明是提供一种可将接触角40度以下的容易润湿的抗蚀图案表面改质成接触角70度以上，可有效防止图案崩溃，制造高品质制品的新颖冲洗液。该冲洗液包含下述溶液，所述溶液含有选自通式(I)(式中的R1及R2是各自氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳原子数为1～5的烷基或取代烷基，R1与R2可以相互连接并与和两者结合的SO2及N一同形成五员环或六员环)、通式(II)(式中的Rf是氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳数1～5的烷基或取代烷基，m及n是整数2或3)、或通式Rf’－COOH(式中的Rf’是碳数8～20且至少一部分被氟化的烷基)表示的水或醇溶剂可溶性氟化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1294457C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02822202.4
申请日：2002-11-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光刻胶图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔后，形成细微图案，其特征在于含有水溶性聚合物和表面活性剂。本发明还提供一种使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明，能够提供一种可得到具有以下特性的细微图案的涂膜形成剂和使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法：即图案尺寸控制性优良，具有良好的外形，以及半导体器件所要求的特性。
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