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公开(公告)号：CN1965265A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018940.2
申请日：2005-06-22
Applicant: 东京应化工业株式会社
Inventor： 新堀博
IPC: G03F7/004 , C08F212/14 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C08F212/14 , G03F7/0392
Abstract: 本发明提供一种化学放大型抗蚀剂组合物，含有在酸的作用下碱溶性发生变化的树脂成分(A)、和因曝光而产生酸的产酸剂成分(B)，还含有沸点为220℃以上的高沸点溶剂成分(X)。
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公开(公告)号：CN1610863A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826382.0
申请日：2002-12-26
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0035 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，以及使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法。该涂膜形成剂是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光刻胶图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用使光刻胶图案间的间隔缩小后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于含有(a)水溶性聚合物和(b)水溶性交联剂，该交联剂的构造中至少含有1个氮原子。利用本发明，能够提供一种可得到具有以下特性细微图案的涂膜形成剂和使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法：即图案尺寸控制性优良，具有良好的外形，以及半导体器件所要求的特性。
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公开(公告)号：CN1287226C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02821984.8
申请日：2002-11-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0277
Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，特征在于重复进行以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和除去所述用于图案细微化的涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以提供这样一种细微图案的形成方法，即在图案尺寸的控制性方面优良，可以用于形成具有良好外形和半导体器件所要求特性的细微图案，即使在使用具有膜厚为1.0μm左右以上的厚膜光刻胶图案的基板时，也可以得到具有良好外形的细微图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1592871A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02821984.8
申请日：2002-11-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0277
Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，特征在于重复进行以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和除去所述用于图案细微化的涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以提供这样一种细微图案的形成方法，即在图案尺寸的控制性方面优良，可以用于形成具有良好外形和半导体器件所要求特性的细微图案，即使在使用具有膜厚为1.0μm左右以上的厚膜光刻胶图案的基板时，也可以得到具有良好外形的细微图案。
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公开(公告)号：CN1965265B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200580018940.2
申请日：2005-06-22
Applicant: 东京应化工业株式会社
Inventor： 新堀博
IPC: G03F7/004 , C08F212/14 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C08F212/14 , G03F7/0392
Abstract: 本发明提供一种化学放大型抗蚀剂组合物，含有在酸的作用下碱溶性发生变化的树脂成分(A)、和因曝光而产生酸的产酸剂成分(B)，还含有沸点为220℃以上的高沸点溶剂成分(X)。
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公开(公告)号：CN100549829C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200480006521.2
申请日：2004-03-11
Applicant: 东京应化工业株式会社
Inventor： 新堀博
Abstract: 一种正型光刻胶组合物，其能够形成细微光刻胶图案，能够适宜地控制光刻胶图案的锥形结构的角，能够形成具有优异焦点深度幅的光刻胶图案。这种正型光刻胶组合物由化学放大型正型光刻胶组合物形成，其对于248nm波长的光通过厚度为0.3μm的光刻胶膜得到的透光率为20至75%。
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公开(公告)号：CN1788239A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012725.7
申请日：2004-05-13
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038
Abstract: 本发明提供一种负性光致抗蚀剂组合物，该组合物用于这样形成图案的方法中：其中将底层膜置于基片上，含有负性光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀层置于所述底层膜上面，该光致抗蚀膜被选择地曝光，然后所述底层膜和所述光致抗蚀膜同时经受显影处理，而且该组合物包括(A)碱可溶性树脂，(B)用射线辐照时生成酸的酸生成剂，和(C)交联剂，该组合物的特征在于所述酸生成剂(B)包括含有无亲水基阳离子的鎓盐。该负性光致抗蚀剂组合物可以形成分辨率改善的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1759348A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006521.2
申请日：2004-03-11
Applicant: 东京应化工业株式会社
Inventor： 新堀博
Abstract: 一种正型光刻胶组合物，其能够形成细微光刻胶图案，能够适宜地控制光刻胶图案的锥形结构的角，能够形成具有优异焦点深度幅的光刻胶图案。这种正型光刻胶组合物由化学放大型正型光刻胶组合物形成，其对于248nm波长的光通过厚度为0.3μm的光刻胶膜得到的透光率为20至75％。
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