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公开(公告)号：CN112530855B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011412909.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法，可集成具有不同功能、不同特性的材料层，实现复合异质集成，且根据不同材料层所具有的特点，从而可发挥各材料层的不同优势，以获得高质量、高性能的半导体器件；进一步的，半导体单晶晶片可以回收循环利用，从而可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN114362719B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111466267.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片集成声波滤波阵列及其制备方法，单片集成声波滤波阵列包括：支撑衬底；支撑衬底包括多个支撑区域，多个支撑区域包括至少一个第一支撑区域，第一支撑区域对应的部分支撑衬底经过局部或整体改性处理；位于支撑衬底上表面的压电层；多个支撑区域中每个支撑区域在对应的区域表面(如压电层内)上能够激发预设声波模式和/或预设声波频率，多个支撑区域对应多个不同的预设声波模式和/或预设声波频率；位于压电层上表面的电极阵列；电极阵列包括多个电极，多个电极与多个支撑区域一一对应。如此，可以实现多频段声学器件的单片集成，解决实际需求中声表面波谐振器、体声波谐振器等协同工作带来的体积大、工艺复杂、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN117153674A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311213692.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质集成结构制备方法、异质集成结构及半导体集成器件。方案包括获取预设数量的第一晶片，将每个第一晶片进行图形化切割，得到预设数量的第二晶片；将预设数量的第二晶片的第一面按照预设排列方式贴合在晶片载具上；朝向每个第二晶片进行离子注入，形成缺陷层；获取支撑衬底，将预设数量的第二晶片的第二面分别与支撑衬底进行键合，得到第一异质集成结构；将第一异质集成结构沿每个第二晶片的缺陷层进行剥离，以去除每个第二晶片的部分以及晶片载具，得到目标异质集成结构。本发明能减小离子注入引起的形貌变化，减小热失配应力，避免解键合，解决小尺寸晶片工艺不兼容的问题，实现异质集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116837463A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310739417.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及信息功能材料技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件。方法包括：在碳化硅外延基底上制备外延碳化硅薄膜层；对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域中制备调制器件结构；制备第一器件保护层，并将第一支撑衬底与第一器件保护层进行键合；去除碳化硅外延基底；将第二支撑衬底与调制器件结构键合，去除第一支撑衬底和第一器件保护层，得到基于碳化硅的调制器件。通过对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域进行调制器件结构制备，从而可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅在集成光系统中的高效、高速光调制。
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公开(公告)号：CN111431501B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010245302.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
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公开(公告)号：CN116736600A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310641469.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微环型声光调制器及制备方法，所述调制器包括：衬底、异质集成薄膜，其中异质集成薄膜包括键合的SiC薄膜与LN压电薄膜；所述异质集成薄膜与衬底键合；所述声光调制器还设有光波导结构和声学组件。本发明利用两种便利的绝缘体上薄膜制备工艺使LN和SiC二者的优良特性相结合，将高质量SiC薄膜、LN薄膜转移到绝缘衬底上，极大地优化了多层薄膜结构的集成难度，同时在SiC/LN/绝缘层结构上得到可适配光学微环谐振腔的弯曲对称叉指电极结构。所述设计可以有效地兼容传统加工工艺，实现单一、高效的声光耦合调制，预计可为实现片上光频梳、光孤子等非线性效应的多维调控提供新的解决途径。
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公开(公告)号：CN115831877B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211599584.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8256 , H01L27/088 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种基于异质集成的氧化镓cascade结构及制备方法，通过异质集成的方法将无法实现P型掺杂的氧化镓半导体材料与增强型器件相集成制备cascade结构，并且cascade结构是制备在兼具有高散热能力的衬底上，基于此可制备增强型级联功率器件、且可实现高导热，从而解决氧化镓无法制备常关器件和散热的问题。
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公开(公告)号：CN111653649B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010507124.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种Si基InGaAs光电探测器的制备方法，包括以下步骤：获取III‑V族化合物半导体衬底；在所述III‑V族化合物半导体衬底上生长厚度为200纳米‑400纳米的相应的牺牲层；在所述牺牲层上生长厚度为30纳米‑2000纳米的应变InxGa(1‑x)As层；注入H或He离子到所述牺牲层中；采用离子束剥离方法将所述InxGa(1‑x)As层与N+掺杂的Si片键合并进行退火剥离处理，形成Si/InxGa(1‑x)As/损伤层结构；去除所述损伤层，所述InxGa(1‑x)As层弹性弛豫，得到InxGa(1‑x)AsOI。本发明在硅上键合一层晶格常数异于常规III‑V化合物半导体衬底的InxGa(1‑x)As，且该层InxGa(1‑x)As是没有非弹性弛豫的。通过离子束剥离方法或者选择性腐蚀方法制备出非常规晶格常数的III‑V衬底。
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