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公开(公告)号：CN112242343B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910646559.4
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN118086864A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211430028.X
申请日：2022-11-15
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮氧化硅波导层的制作方法，包括以下步骤：于反应腔室中通入反应气体，反应气体包括SiH4、N2O与NH3，其中，SiH4的气体流量范围为110～120sccm，N2O的气体流量范围为700～900sccm，NH3的气体流量范围为20～30sccm；采用等离子体增强化学气相沉积法生成氮氧化硅薄膜层；对氮氧化硅薄膜层进行高温退火，高温退火的温度不低于1000℃。本发明的氮氧化硅波导层的制作方法中，通过调节气体比例，调节氮氧化硅薄膜层中的氮原子含量，降低氮氧化硅薄膜层的应力，在高温退火后氮氧化硅薄膜层不会发生膜裂，能够降低光损耗，可广泛应用于硅光子领域。
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公开(公告)号：CN116247109A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485465.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构，波导型光电探测器包括：衬底，衬底上形成有探测器区域，探测器区域包括N型掺杂区以及位于N型掺杂区局部区域的N型重掺杂形成N型重掺杂区；第一锗光吸收层，位于N型掺杂区上；P型重掺杂的锗材料层，位于第一锗光吸收层上；第二锗光吸收层，位于P型重掺杂的锗材料层上；N型重掺杂的锗材料层，位于第二锗光吸收层上。本发明通过双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
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公开(公告)号：CN116153850A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111392254.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，包括：1)于基底形成非对称深沟槽；2)第一次沉积第一隔离介质层，随着第一隔离介质层的生长，非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口；3)腐蚀第一隔离介质层，直至将第一封口打开，形成具有一宽度的开口；4)第二次沉积第二隔离介质层，第二隔离介质层在非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第二封口，第二封口的高度低于第一封口的高度；5)重复进行步骤3)和步骤4)，以将最终的封口高度降低至目标高度。本发明仅需采用传统的隔离介质层沉积和腐蚀工艺技术便可有效控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。
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公开(公告)号：CN112017973B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910462224.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/52 , H01L31/0203 , H01L25/16 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，采用晶圆级扇出形封装方法制备硅光模块，其能够提高硅光模块的带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时采用该封装方法形成的硅光模块还具有用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合；即本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115407451A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586090.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种基于亚波长光栅波导结构的120度光混频器及制作方法，混频器包括一多模干涉区、连接于多模干涉区的输入端的三个输入波导以及连接于多模干涉区的输出端的三个输出波导，多模干涉区、输入波导及输出波导为亚波长光栅波导结构，其中，多模干涉区为光栅长度相等的亚波长光栅波导结构，输入波导为光栅长度逐渐增大的亚波长光栅波导结构，输出波导为光栅长度逐渐减小的亚波长光栅波导结构。本发明可在较小的多模干涉区的长度下在输出端口实现120度光混频操作。与传统的多模干涉耦合器结构相比，本发明采用亚波长光栅波导结构的光混频器可以有效减小器件尺寸、提高集成度，同时可以实现超大带宽、低相位偏差的光混频器。
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公开(公告)号：CN110767766B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201810836030.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述应变平衡GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si1‑x‑yGexSny层与压应变Ge1‑aSna层，以达到应变平衡；其中，0
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公开(公告)号：CN112098768B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910461940.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅光芯片的测试方法及设备，其将硅光晶圆固定在柔性膜上后对所述硅光晶圆进行切割，切割后得到的硅光芯片的相对位置不发生变化，再将硅光芯片及柔性膜整体移动至测试设备处进行测试，不需要多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的相对位置。本发明硅光芯片的测试方法省略了测试前多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的步骤，测试时间大大缩短，测试效率大大提高。
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公开(公告)号：CN110896112B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201810958988.0
申请日：2018-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0312 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法。所述波导集成的GeSn光电探测器，包括GeSnOI衬底以及均位于所述GeSnOI衬底表面的光纤‑波导模斑耦合器、SiN光波导和器件结构；所述器件结构，包括沿所述GeSnOI衬底的轴向方向设置于所述GeSnOI衬底上的GeSn吸收层；所述SiN光波导的输出端沿平行于所述GeSnOI衬底的方向与所述GeSn吸收层的中心对齐连接；所述光纤‑波导模斑耦合器包括与所述SiN光波导的输入端连接的SiN反锥型波导，且所述SiN反锥型波导与所述SiN光波导同层设置。本发明能够有效避免光探测器速率与量子效率间相互制约的问题，提高了GeSn光电探测器的灵敏度以及稳定性。
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公开(公告)号：CN110729373B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201810776256.X
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述基于Ge波导的GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底上的锗波导层和器件结构；所述器件结构，连接所述锗波导层，包括由Ge1‑xSnx材料构成的吸收层，其中，0
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