公开(公告)号：CN118620620A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410651860.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  巴鹰 ,  王嘉璐 ,  房永征

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/79 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明涉及近红外长余辉荧光粉制备领域，涉及一种Cr3+掺杂的石榴石结构基质近红外长余辉发光材料及其制备与应用，具有以下化学通式：A1‑cZncB2Ga4‑4x‑4yC4yGe1‑zDzO12:xCr3+，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，0≤c≤0.5，其中，0.1at％≤x≤20at％，A为第二主族元素中的至少一种，B为稀土元素中的至少一种，C包括Al或In的三价离子，D包括Si、Ti或Zr的四价离子，发光中心为Cr3+。与现有技术相比，本发明具有通过掺杂不同价态的离子调控材料的余辉特性和发光光谱，使其具有更好的性能，可广泛用于医药领域、军事领域等优点。

公开(公告)号：CN117191213A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311149957.8

申请日：2023-09-06

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  宋杨 ,  房永征 ,  李迅驰

IPC: G01K11/14 ,  C01G39/00 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明公开了一种三价Pr离子掺杂的钼酸盐光学测温材料及其制备方法。本发明具体提供的光学测温材料具有高的相对灵敏度，其为红色发光材料，具有白钨矿结构，其化学通式为LiCaaSr1‑aM1‑x(MoO4)3:xPr3+其中，0≤a≤1，1at％

公开(公告)号：CN116333735A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310313732.5

申请日：2023-03-28

Applicant: 上海应用技术大学 ,  上海鼎晖科技股份有限公司

Inventor： 田甜 ,  谢粤平 ,  李莹 ,  张彦 ,  徐家跃 ,  李建胜 ,  王岑岑 ,  杨丽

IPC: C09K11/67 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明公开了一种具有同质核壳结构的四价锰掺杂氟化物红色荧光材料及其制备方法，该荧光材料的化学式为K2Ta1‑xInxF7:ymol％Mn4+@K2Ta1‑xInxF7，其中0

公开(公告)号：CN114250514A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111532634.8

申请日：2021-12-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  房永征 ,  王占勇 ,  徐家跃 ,  龚震 ,  刘家文

IPC: C30B29/16 ,  C30B9/12

Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法。本发明以B2O3‑碱金属氧化物为主，辅以少量钼的氧化物如MoO3、钼酸盐如K2Mo2O7、Na2Mo2O7等，作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，其摩尔比为0.8～1.5：0.8～2.5：0～0.3。本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒、有害成份，晶体生长温度区间为950‑1080℃，有效的降低了晶体的生长温度，溶剂粘度小、组分挥发少，高温溶液清澈透明，便于实时控制晶体生长过程，所获得的晶体质量较好，无包裹现象，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。

公开(公告)号：CN114232094A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111640665.5

申请日：2021-12-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  田甜 ,  张炎 ,  潘芸芳 ,  李志超 ,  张彦 ,  申慧 ,  马云峰 ,  陈媛芝

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/14 ,  C30B28/02 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，公开了一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法。特征是：(1)所述硅酸铋闪烁晶体为闪烁材料，铀离子以UO2形式掺入，可显著提高晶体的光输出，掺杂量为0.01～1mol％，所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi4Si3O12；(2)选用高纯SiO2、Bi2O3原料，根据化学计量比配料，采用固相烧结法制备Bi4Si3O12多晶料，然后按所述掺杂量向Bi4Si3O12多晶料中加入UO2，混合均匀并烧结，得到铀掺杂的Bi4Si3O12多晶料；(3)选择硅酸铋籽晶，将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，将掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入陶瓷管中，置于区熔炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到铀掺杂的高光输出硅酸铋闪烁晶体。

公开(公告)号：CN112410878A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011178464.3

申请日：2020-10-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  黄礼武 ,  徐家跃 ,  田甜 ,  袁军平 ,  罗宽宽

IPC: C30B29/12 ,  C30B29/54 ,  C30B7/10 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种掺铥的2μm激光晶体及其制备方法。所述晶体为双钙钛矿结构，属于立方晶系，晶体的组成表达式子为，MAⅢ2为MⅠ三M价ⅢX阳6：离x子Tm，；X其为中卤，素A为阴一离价子阳，并离且子0，

公开(公告)号：CN112048299A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202011057552.8

申请日：2020-09-30

Applicant: 上海应用技术大学 ,  江苏科创车联网产业研究院有限公司

Inventor： 田甜 ,  刘伟 ,  张彦 ,  黄礼武 ,  徐家跃 ,  刘干

IPC: C09K11/79 ,  C01B35/12

Abstract: 本发明公开了一种Ce3+掺杂的白光LED荧光材料及其制备方法。所述白光LED荧光材料的化学通式为Ca3(Tb7)1‑x(BO4)(SiO4)5O:xCe3+，其中，0

公开(公告)号：CN111379014A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010380449.0

申请日：2020-05-08

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  王占勇 ,  徐家跃

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/12 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。所述晶体为Pb17O8Cl18，所述助熔剂的体系包括PbO、金属卤化物M′X、金属卤化物M″X2和Bi2O3中的至少一种；M′为Li、Na或K，M″为Mg、Ca、Ba、Sr或Pb，X为F或Cl。晶体生长方法为：将多晶原料与助熔剂混合融化；在熔体温度饱和点上方开始引晶，熔体温度稳定在饱和点，开始晶体生长；晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面，在弱氧化性气氛中进行退火处理。本发明充分照顾晶体生长的取向，有效提高晶体生长稳定性，减小生长过程中溶体挥发和体系粘度，解决晶体针状发育及生长的晶体易开裂、变颜色等问题，生长出的晶体尺寸大、光学质量高。

公开(公告)号：CN108425153B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201810113276.9

申请日：2018-02-05

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  袁军平 ,  王洪超 ,  徐家跃 ,  罗宽宽 ,  向迪 ,  李星亮

IPC: H01S3/16 ,  C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供了一种掺铬铌酸铝钙可调谐激光晶体，该晶体材料的化学式为:Cr3+:Ca2AlNbO6，该晶体属于单斜晶系，P21/c空间群结构，其晶胞参数为：β＝89.970(2)°，Z＝2。本发明还提供了上述可调谐激光晶体的制备方法，采用CaCO3、Al2O3、Nb2O5和Cr2O3作为初始原料，按照固相合成，二次烧结的方法制备Cr3+:Ca2AlNbO6原料，然后将Cr3+:Ca2AlNbO6原料采用提拉法生长出大尺寸、高光学质量的晶体。本发明的晶体可作为可调谐激光晶体，其可调谐范围在600～1000nm之间。

公开(公告)号：CN110685006A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911052834.6

申请日：2019-10-31

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  罗宽宽 ,  徐家跃 ,  储耀卿 ,  田甜 ,  申慧 ,  王洪超 ,  袁军平 ,  黄礼武 ,  余枭

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种中红外非线性光学晶体POC及其制备方法。所述晶体POC为一种熔融化合物，该晶体的熔点为526℃，属于正交晶系，其空间群为Fmm2(42)，晶胞参数为Z＝3。制备方法为：将PbCl2与PbO混合均匀后的粉末装入到坩埚中加热，自然冷却至室温后取出，进行充分研磨后，得到POC晶料；将POC晶料装入坩埚中置于炉内，将晶体炉升温；调整坩埚位置，让坩埚内的晶料完全充分熔融，下降引下管，进行晶体生长；然后退火处理即可。本发明减少了PbO和PbCl2的挥发，极大提高了POC单晶的成品率。