公开(公告)号：CN119410362A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411549966.0

申请日：2024-11-01

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  李满意 ,  王嘉璐 ,  房永征

IPC: C09K11/64

Abstract: 本发明涉及一种Cr3+掺杂的新型氟硫酸盐基质深红发光材料及其制备与应用。所述发光材料的化学通式为：K2(1‑a)A2aAl(1‑b)BbSO4F3:xCr3+，0≤a≤1，0≤b≤0.5，A为第一主族元素或一价Ag、Cu、Au中的至少一种，B包括Ga、In、TI、Sc的三价离子中的一种，发光中心为Cr3+。所述发光材料的制备方法为：根据各物质化学计量比称取原料，研磨使其混合均匀，预烧结后再次研磨，使混合更加均匀后再次煅烧，经过离心、烘干、过筛后得到所需发光材料。与现有技术相比，本发明制备的Cr3+掺杂的新型氟硫酸盐基质深红发光材料在合成工艺简单，此外，在合成过程中不需要对人类和环境有害的氢氟酸或者是有毒且加热易分解的氟化铵来提供氟源。

公开(公告)号：CN118620620A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410651860.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  巴鹰 ,  王嘉璐 ,  房永征

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/79 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明涉及近红外长余辉荧光粉制备领域，涉及一种Cr3+掺杂的石榴石结构基质近红外长余辉发光材料及其制备与应用，具有以下化学通式：A1‑cZncB2Ga4‑4x‑4yC4yGe1‑zDzO12:xCr3+，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，0≤c≤0.5，其中，0.1at％≤x≤20at％，A为第二主族元素中的至少一种，B为稀土元素中的至少一种，C包括Al或In的三价离子，D包括Si、Ti或Zr的四价离子，发光中心为Cr3+。与现有技术相比，本发明具有通过掺杂不同价态的离子调控材料的余辉特性和发光光谱，使其具有更好的性能，可广泛用于医药领域、军事领域等优点。