-
公开(公告)号：CN103290473A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310057919.X
申请日：2013-02-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明公开了一种石英坩埚、石英坩埚的制造方法及铸造装置。本发明所涉及的用于制造硅锭的石英坩埚（20）的特征在于，具备底部（21）和从底部（21）的外周部立起的侧壁部（22），并且上方开口，底部（21）与侧壁部（22）相交的交叉部分（23）的内侧向石英坩埚（20）的内方伸展，形成厚度比底部（21）、侧壁部（22）厚的壁厚部（24）。
-
公开(公告)号：CN102689001A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210073804.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且杂质量的偏差较小的硅锭，其具有载置于坩埚上的盖，在盖的平面中心附近连接有惰性气体供给构件，盖具有：载置部，载置于坩埚的侧壁上端面；檐部，从坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，檐部配置于坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧且从侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，开口部形成在距坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域，由开口部形成的坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为坩埚的整个上端内侧区域的面积的1.5％以上且10％以下。
-
-
-
公开(公告)号：CN108701749B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201780011454.0
申请日：2017-02-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的制造方法具备：原料形成工序，相对于镁系化合物在0.5摩尔％以上且13.0摩尔％以下的范围内添加硅氧化物，形成烧结原料；及烧结工序，一边以10MPa以上的加压力对所述烧结原料进行加压，一边在750℃以上且950℃以下的温度范围内进行加热，从而形成烧结体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111712937A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980012947.5
申请日：2019-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明的热电转换材料的特征在于，由含有掺杂剂的化合物的烧结体构成，并且针对在所述烧结体的截面中观察到的多个化合物粒子，测量每个化合物粒子的掺杂剂浓度，计算出的所述掺杂剂浓度的标准偏差设为0.15以下。在此，所述化合物优选为选自MgSi系化合物、MnSi系化合物、SiGe系化合物、MgSiSn系化合物、MgSn系化合物中的一种或两种以上。
-
公开(公告)号：CN109825877A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910292820.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法，即使实施切断加工等时也能够抑制产生裂纹或崩碎或肉眼无法观察的微小龟裂等。本发明的多晶硅锭由单向凝固组织构成，其特征在于，该多晶硅锭无裂纹，最大主应变量为100με以下，优选最大主应变量为50με以下，进一步优选最大主应变量为10με以下。
-
公开(公告)号：CN108713259A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015595.X
申请日：2017-03-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明的热电转换模块的特征在于，n型热电转换元件与p型热电转换元件由热膨胀系数互不相同的材料构成，n型热电转换元件的一侧面与p型热电转换元件的一侧面相互排列并接合在共同的绝缘性基板的一侧面，在n型热电转换元件的另一侧面与p型热电转换元件的另一侧面分别独立地形成有导热性部件。
-
公开(公告)号：CN108701749A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011454.0
申请日：2017-02-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
CPC classification number: H01L35/34 , B22F3/1039 , B22F3/15 , B22F2003/1051 , B22F2003/175 , B22F2003/185 , B22F2003/208 , C01B33/06 , C04B35/58085 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3418 , C04B2235/3891 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/421 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/728 , C04B2235/761 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C22C1/05 , C22C1/053 , C22C1/1084 , C22C23/00 , H01L35/22 , H01L35/26 , H01L35/30 , H01L35/32
Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的制造方法具备：原料形成工序，相对于镁系化合物在0.5摩尔％以上且13.0摩尔％以下的范围内添加硅氧化物，形成烧结原料；及烧结工序，一边以10MPa以上的加压力对所述烧结原料进行加压，一边在750℃以上且950℃以下的温度范围内进行加热，从而形成烧结体。
-
公开(公告)号：CN104078385B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201410119659.9
申请日：2014-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/02123 , F27B14/06 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L23/562 , H01L29/02 , H01L29/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使在受热环境下使用时也能够抑制龟裂的产生的硅部件及硅部件的制造方法。本发明的硅部件（10），其在受热环境下使用，其特征在于，具有覆盖表面的涂布层（11），涂布层（11）由通过使表面的硅反应而形成的硅反应物构成，该涂布层（11）的厚度在15nm以上600nm以下。其中，涂布层优选为硅氧化膜或氮化硅膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.027 seconds)
