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公开(公告)号：CN102689001B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210073804.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且杂质量的偏差较小的硅锭，其具有载置于坩埚上的盖，在盖的平面中心附近连接有惰性气体供给构件，盖具有：载置部，载置于坩埚的侧壁上端面；檐部，从坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，檐部配置于坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧且从侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，开口部形成在距坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域，由开口部形成的坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为坩埚的整个上端内侧区域的面积的1.5％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN102691101A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210074025.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且结晶的成长方向稳定的硅锭。硅锭制造装置具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件，所述硅锭制造装置特征在于，具有载置于所述坩埚上的盖，所述盖具有：载置部，载置于所述坩埚的侧壁上面；檐部，从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，所述檐部配设于所述坩埚的侧壁上端的10％以上区域的外周侧，且从所述侧壁上端外边的突出长度成为50mm以上，所述开口部配设成所述坩埚的侧壁上端面的50％以上的区域相对于所述加热器露出。
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公开(公告)号：CN102691101B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210074025.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且结晶的成长方向稳定的硅锭。硅锭制造装置具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件，所述硅锭制造装置特征在于，具有载置于所述坩埚上的盖，所述盖具有：载置部，载置于所述坩埚的侧壁上面；檐部，从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，所述檐部配设于所述坩埚的侧壁上端的10％以上区域的外周侧，且从所述侧壁上端外边的突出长度成为50mm以上，所述开口部配设成所述坩埚的侧壁上端面的50％以上的区域相对于所述加热器露出。
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公开(公告)号：CN102689001A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210073804.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且杂质量的偏差较小的硅锭，其具有载置于坩埚上的盖，在盖的平面中心附近连接有惰性气体供给构件，盖具有：载置部，载置于坩埚的侧壁上端面；檐部，从坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，檐部配置于坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧且从侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，开口部形成在距坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域，由开口部形成的坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为坩埚的整个上端内侧区域的面积的1.5％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN106191997A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610882920.X
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/00 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , F27D2003/166 , F27D2003/167 , F27D2027/002 , B22D27/04
Abstract: 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚(20)、加热坩埚的加热器(33,43)和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元(42)。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103498195B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310059341.1
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/00 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , F27D2003/166 , F27D2003/167 , F27D2027/002
Abstract: 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚（20）、加热坩埚的加热器（33,43）和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元（42）。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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公开(公告)号：CN106191997B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610882920.X
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚(20)、加热坩埚的加热器(33,43)和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元(42)。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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公开(公告)号：CN103498195A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310059341.1
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/00 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , F27D2003/166 , F27D2003/167 , F27D2027/002
Abstract: 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚（20）、加热坩埚的加热器（33,43）和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元（42）。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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公开(公告)号：CN119422238A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049459.8
申请日：2023-06-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/677 , B25J15/08 , C23F1/00 , C25F3/02 , H01L21/683
Abstract: 该防滑部件在由无机材料构成的基材的表面的至少一部分上具有竖立设置有多个突起部的突起体区域，所述突起体区域具有第一方向和与该第一方向交叉的第二方向，所述多个突起部在所述第一方向和所述第二方向中的至少一个方向上周期性地配置，所述多个突起部在所述第一方向和/或所述第二方向上的平均间距被设在20nm以上且1000nm以下的范围内，所述表面上的静摩擦系数被设为0.20以上。
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公开(公告)号：CN103290473A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310057919.X
申请日：2013-02-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明公开了一种石英坩埚、石英坩埚的制造方法及铸造装置。本发明所涉及的用于制造硅锭的石英坩埚（20）的特征在于，具备底部（21）和从底部（21）的外周部立起的侧壁部（22），并且上方开口，底部（21）与侧壁部（22）相交的交叉部分（23）的内侧向石英坩埚（20）的内方伸展，形成厚度比底部（21）、侧壁部（22）厚的壁厚部（24）。
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