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公开(公告)号：CN102691101A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210074025.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且结晶的成长方向稳定的硅锭。硅锭制造装置具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件，所述硅锭制造装置特征在于，具有载置于所述坩埚上的盖，所述盖具有：载置部，载置于所述坩埚的侧壁上面；檐部，从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，所述檐部配设于所述坩埚的侧壁上端的10％以上区域的外周侧，且从所述侧壁上端外边的突出长度成为50mm以上，所述开口部配设成所述坩埚的侧壁上端面的50％以上的区域相对于所述加热器露出。
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公开(公告)号：CN102691101B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210074025.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且结晶的成长方向稳定的硅锭。硅锭制造装置具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件，所述硅锭制造装置特征在于，具有载置于所述坩埚上的盖，所述盖具有：载置部，载置于所述坩埚的侧壁上面；檐部，从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，所述檐部配设于所述坩埚的侧壁上端的10％以上区域的外周侧，且从所述侧壁上端外边的突出长度成为50mm以上，所述开口部配设成所述坩埚的侧壁上端面的50％以上的区域相对于所述加热器露出。
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公开(公告)号：CN102689001A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210073804.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且杂质量的偏差较小的硅锭，其具有载置于坩埚上的盖，在盖的平面中心附近连接有惰性气体供给构件，盖具有：载置部，载置于坩埚的侧壁上端面；檐部，从坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，檐部配置于坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧且从侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，开口部形成在距坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域，由开口部形成的坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为坩埚的整个上端内侧区域的面积的1.5％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN102689001B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210073804.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且杂质量的偏差较小的硅锭，其具有载置于坩埚上的盖，在盖的平面中心附近连接有惰性气体供给构件，盖具有：载置部，载置于坩埚的侧壁上端面；檐部，从坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，檐部配置于坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧且从侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，开口部形成在距坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域，由开口部形成的坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为坩埚的整个上端内侧区域的面积的1.5％以上且10％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114829302B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202080084847.6
申请日：2020-12-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅微粒等，其包含通过显微镜法测定的粒径为1μm以上且通过下述式(1)求出的圆度的平均值为0.93以上的粒子，通过激光衍射散射法测定的体积基准的平均粒径在0.8μm以上且8.0μm以下的范围内，通过激光衍射散射法测定的个数基准的平均粒径在0.100μm以上且0.150μm以下的范围内，通过BET法测定的比表面积在4.0m2/g以上且10m2/g以下的范围内。式(1)：圆度＝(4×π×粒子的投影面积)1/2/粒子的周长。
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公开(公告)号：CN108780833B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201780016515.2
申请日：2017-03-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L35/14 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/20 , B22F7/06 , C22C13/00 , C22C23/00 , H01L35/26 , H01L35/34
Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的特征在于，由Mg2Si构成的第一层和由Mg2SixSn1‑x构成的第二层直接接合，其中，x为0以上且小于1，所述第二层在与所述第一层的接合面和接合面附近具有锡浓度过渡区域，在所述锡浓度过渡区域中，越远离所述接合面，锡浓度越增加。在此，接合面设为锡浓度在EDX测定中成为检测限以下的部位。
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公开(公告)号：CN109825877B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910292820.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法，即使实施切断加工等时也能够抑制产生裂纹或崩碎或肉眼无法观察的微小龟裂等。本发明的多晶硅锭由单向凝固组织构成，其特征在于，该多晶硅锭无裂纹，最大主应变量为100με以下，优选最大主应变量为50με以下，进一步优选最大主应变量为10με以下。
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公开(公告)号：CN103541004A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310089650.3
申请日：2013-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法，即使实施切断加工等时也能够抑制产生裂纹或崩碎或肉眼无法观察的微小龟裂等。本发明的多晶硅锭由单向凝固组织构成，其特征在于，该多晶硅锭无裂纹，最大主应变量为100με以下，优选最大主应变量为50με以下，进一步优选最大主应变量为10με以下。
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公开(公告)号：CN108140713B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201680056456.7
申请日：2016-09-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电转换模块(1)，其以在一组对置的配线基板(2A、2B)之间组合有多对P型热电转换元件(3)及N型热电转换元件(4)的状态经由配线基板(2A、2B)串联连接，其中，配线基板(2A、2B)通过在陶瓷基板(30)的表面形成供热电转换元件(3、4)连接的电极部(11、12)而成，热电转换元件中，沿热膨胀系数较大的热电转换元件中的两个配线基板的对置方向的长度形成为比沿热膨胀系数较小的热电转换元件中的两个配线基板的对置方向的长度小，热膨胀系数较大的热电转换元件的两端中的至少一个与配线基板的陶瓷基板之间夹着导电性衬垫(15)。
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