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公开(公告)号：CN102349157A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN104093866A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380008126.7
申请日：2013-02-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 日立金属MMC超级合金株式会社
CPC classification number: C22C19/056 , C22C19/055 , C22F1/10 , F05C2201/0466
Abstract: 本发明提供一种Ni基合金，其特征在于，以测定视场面积(S0)进行观察而计算出对于存在于视场内的最大尺寸的氮化物的面积(A)以D＝A1/2定义的面积等径(D)，以测定视场数(n)反复实施该作业而获取n个面积等径(D)的数据，按升序排列这些面积等径(D)的数据并设为D1、D2、......、Dn，求出标准化变量(yj)，将X轴设为面积等径(D)且将Y轴设为标准化变量(yj)，在XY轴坐标上进行标绘并求出回归直线yj＝a×D+b，其中a、b为常数，将预测对象截面积(S)设为100mm2并求出yj，通过将所得到的yj的值代入所述回归直线来计算出氮化物的估计最大尺寸时，该Ni基合金中，氮化物的估计最大尺寸被设为面积等径且为25μm以下。
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公开(公告)号：CN102177273B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980139268.0
申请日：2009-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/165 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的平板显示器的铜合金配线膜以及用于形成该铜合金配线膜的溅射靶具有如下组成：含有Mg：0.1～5原子％，还含有Mn和Al中的1种或2种总计：0.1～11原子％，根据需要含有P：0.001～0.1原子％，余部由Cu和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN102804352A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025444.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C22C9/10 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05K1/09
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。
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公开(公告)号：CN109825877A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910292820.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法，即使实施切断加工等时也能够抑制产生裂纹或崩碎或肉眼无法观察的微小龟裂等。本发明的多晶硅锭由单向凝固组织构成，其特征在于，该多晶硅锭无裂纹，最大主应变量为100με以下，优选最大主应变量为50με以下，进一步优选最大主应变量为10με以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102203916A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980141374.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/285 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C9/00 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于形成薄膜晶体管用布线膜的溅射靶材，具有如下组成：含有Mg:0.1~5原子%、Ca:0.1~10原子%，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质。另外还可以含有Mn和Al中的至少一种或两种合计0.1~10原子%。另外还可以含有P：0.001~0.1原子%。
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公开(公告)号：CN102177273A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139268.0
申请日：2009-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/165 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的平板显示器的铜合金配线膜以及用于形成该铜合金配线膜的溅射靶具有如下组成：含有Mg：0.1～5原子％，还含有Mn和Al中的1种或2种总计：0.1～11原子％，根据需要含有P：0.001～0.1原子％，余部由Cu和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN109825877B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910292820.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法，即使实施切断加工等时也能够抑制产生裂纹或崩碎或肉眼无法观察的微小龟裂等。本发明的多晶硅锭由单向凝固组织构成，其特征在于，该多晶硅锭无裂纹，最大主应变量为100με以下，优选最大主应变量为50με以下，进一步优选最大主应变量为10με以下。
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公开(公告)号：CN102804352B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080025444.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C22C9/10 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05K1/09
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。
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公开(公告)号：CN102349157B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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