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公开(公告)号：CN102804352A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025444.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C22C9/10 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05K1/09
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。
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公开(公告)号：CN102203916A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980141374.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/285 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C9/00 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于形成薄膜晶体管用布线膜的溅射靶材，具有如下组成：含有Mg:0.1~5原子%、Ca:0.1~10原子%，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质。另外还可以含有Mn和Al中的至少一种或两种合计0.1~10原子%。另外还可以含有P：0.001~0.1原子%。
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公开(公告)号：CN102804352B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080025444.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C22C9/10 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05K1/09
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。
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公开(公告)号：CN102349157B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN102349157A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN115917023B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202180045210.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
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公开(公告)号：CN117580966A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280046319.0
申请日：2022-07-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 一种沿边弯曲加工用铜条，其是以弯曲半径R与宽度W的比率R/W为5.0以下的条件进行沿边弯曲加工的沿边弯曲加工用铜条，其中，厚度t在1mm以上且10mm以下的范围内，在正交于长度方向的截面中，将平行于宽度方向且与表面相接的直线与垂直于宽度方向且与端面相接的直线的交点作为基准点，在一边长度为厚度t的1/10的正方形区域，根据存在铜的部分的面积(A)与不存在铜的部分的面积(B)算出的面积比B/(A+B)在大于10％且100％以下的范围内。
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公开(公告)号：CN115298334B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202180021981.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种Cu‑Ni‑Si系铜合金板，含有Ni和Si，其中，在板厚方向的厚度中心部，含有0.4质量％以上且5.0质量％以下的Ni和0.05质量％以上且1.5质量％以下的Si，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，板表面的Ni浓度为所述厚度中心部的中心Ni浓度的70％以下，具有从板表面起到Ni浓度为中心Ni浓度的90％为止的深度的表层部，在表层部中，Ni浓度从板表面向厚度中心部以5.0质量％/μm以上且100质量％/μm以下浓度梯度增加，提高高温环境下的电连接可靠性，即使在设有Sn等镀膜的情况下，也会提高高温环境下的电连接可靠性、焊料润湿性及镀膜的密接性。
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公开(公告)号：CN114641585B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202080075886.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜合金板，板厚方向的中心部的中心Mg浓度为0.1质量％以上且小于0.3质量％、中心P浓度为0.001质量％以上且0.2质量％以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质形成，所述铜合金板的表面的表面Mg浓度为所述中心Mg浓度的70％以下，从所述表面起以规定的厚度设定的表层部具有Mg浓度随着从所述表面朝向所述板厚方向的所述中心部增加的0.05质量％/μm以上且5质量％/μm以下的浓度梯度，并且所述表层部中的最大Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％，由此抑制表面的变色及接触电阻的上升且镀膜的密接性优异。
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公开(公告)号：CN113614258A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080019903.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提高了降低接触电阻的镀膜与含有Mg的铜合金板的密接性。一种铜合金板，在板厚方向的中心部包含超过1.2质量％且2质量％以下的Mg，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，表面处的表面Mg浓度为所述板厚方向的所述中心部的中心Mg浓度的30％以下，具有从所述表面起至Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部，Mg浓度从所述表面向所述板厚方向的所述中心部，以0.2质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
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