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公开(公告)号：CN107923001B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201680041266.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中，含有大于2质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P、0.001质量％以上且0.1质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足3＜(Ni+Fe)/P＜30、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕＜0.6，而且，相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕，含有Fe、Ni和P的〔Ni，Fe〕‑P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号：CN107923001A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680041266.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中，含有大于2质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P、0.001质量％以上且0.1质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足3＜(Ni+Fe)/P＜30、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕＜0.6，而且，相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕，含有Fe、Ni和P的〔Ni，Fe〕-P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号：CN102177273B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980139268.0
申请日：2009-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/165 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的平板显示器的铜合金配线膜以及用于形成该铜合金配线膜的溅射靶具有如下组成：含有Mg：0.1～5原子％，还含有Mn和Al中的1种或2种总计：0.1～11原子％，根据需要含有P：0.001～0.1原子％，余部由Cu和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN102804352A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025444.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C22C9/10 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05K1/09
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。
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公开(公告)号：CN102203916A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980141374.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/285 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C9/00 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于形成薄膜晶体管用布线膜的溅射靶材，具有如下组成：含有Mg:0.1~5原子%、Ca:0.1~10原子%，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质。另外还可以含有Mn和Al中的至少一种或两种合计0.1~10原子%。另外还可以含有P：0.001~0.1原子%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102177273A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139268.0
申请日：2009-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/165 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的平板显示器的铜合金配线膜以及用于形成该铜合金配线膜的溅射靶具有如下组成：含有Mg：0.1～5原子％，还含有Mn和Al中的1种或2种总计：0.1～11原子％，根据需要含有P：0.001～0.1原子％，余部由Cu和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN103781924B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280040753.4
申请日：2012-09-19
Applicant: 三菱伸铜株式会社 , 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的铜合金板的一方式含有28.0～35.0质量%的Zn、0.15～0.75质量%的Sn及0.005～0.05质量%的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，满足44≥[Zn]+20×[Sn]≥37且32≤[Zn]+9×（[Sn]-0.25）1/2≤37的关系。该铜合金板的一方式通过包括对铜合金材料进行冷轧的精冷轧工序的制造工序来制造，所述铜合金材料的平均结晶粒径为2.0～7.0μm，所述铜合金材料的金属组织中的β相的面积率和γ相的面积率的总计为0%以上且0.9%以下。
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公开(公告)号：CN102349157A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN116917514A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016960.X
申请日：2022-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/01
Abstract: 该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg和0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质中，Fe的含量为0.0020质量％以下，O的含量为0.0020质量％以下，S的含量为0.0030质量％以下，P的含量为0.0010质量％以下，3≤∑≤29的各晶界长度之和Lσ与利用EBSD法测定的总晶界长度L的比率即特殊晶界长度比率(Lσ/L)为20％以上，板厚中心部的平均晶体粒径μA为40μm以下。
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公开(公告)号：CN116888289A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280017011.3
申请日：2022-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/01
Abstract: 该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg、0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al和0.01质量％以下的Ag，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，利用EBSD法测定的Cube取向的面积率(晶体取向的面积率)为5％以下，当将相邻的像素间的取向差为5°以上的像素间的边界视为晶界时的KAM值的平均值为2.0以下，板厚中心部的平均晶体粒径μ为40μm以下。
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