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公开(公告)号：CN116917514A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016960.X
申请日：2022-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/01
Abstract: 该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg和0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质中，Fe的含量为0.0020质量％以下，O的含量为0.0020质量％以下，S的含量为0.0030质量％以下，P的含量为0.0010质量％以下，3≤∑≤29的各晶界长度之和Lσ与利用EBSD法测定的总晶界长度L的比率即特殊晶界长度比率(Lσ/L)为20％以上，板厚中心部的平均晶体粒径μA为40μm以下。
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公开(公告)号：CN116888289A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280017011.3
申请日：2022-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/01
Abstract: 该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg、0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al和0.01质量％以下的Ag，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，利用EBSD法测定的Cube取向的面积率(晶体取向的面积率)为5％以下，当将相邻的像素间的取向差为5°以上的像素间的边界视为晶界时的KAM值的平均值为2.0以下，板厚中心部的平均晶体粒径μ为40μm以下。
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公开(公告)号：CN107923034B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN104904000A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201480004297.7
申请日：2014-09-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/01206 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的接合线用铜线材为用于形成接合线的接合线用铜线材，其由纯度为99.9999质量％以上的高纯度铜构成，线径为0.5mm以上3.5mm以下，与拉丝方向垂直的剖面中(001)面的面积率为15％以上30％以下。
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公开(公告)号：CN111836913A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980018145.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，当通过电子背散射衍射法进行观察，将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm)，并将极图的强度的最大值设为X2时，满足式(1)：2500＞19×X1+290×X2，并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95％以上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105339527A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035789.2
申请日：2014-07-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C25C1/12 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/00
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明的高纯度铜溅射靶用铜原材料，除O、H、N、C以外的Cu的纯度在99.999980质量％以上且99.999998质量％以下的范围内，Al的含量为0.005质量ppm以下，Si的含量为0.05质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN111836913B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201980018145.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，当通过电子背散射衍射法进行观察，将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm)，并将极图的强度的最大值设为X2时，满足式(1)：2500＞19×X1+290×X2，并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95％以上。
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公开(公告)号：CN107923034A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN105339527B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201480035789.2
申请日：2014-07-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C25C1/12 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/00
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明的高纯度铜溅射靶用铜原材料，除O、H、N、C以外的Cu的纯度在99.999980质量％以上且99.999998质量％以下的范围内，Al的含量为0.005质量ppm以下，Si的含量为0.05质量ppm以下。
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