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公开(公告)号:CN105339513B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201480032727.6
申请日:2014-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: C22C9/04 , B22D7/005 , C22C1/02 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C28/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01B1/026 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/263 , Y10T428/264 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金的一方式含有大于2.0质量%且36.5质量%以下的Zn、0.10质量%以上且0.90质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.00质量%的Ni、0.005质量%以上且0.100质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,元素含量的原子比满足3.00<Ni/P<100.00及0.10<Sn/Ni<2.90,相对于轧制方向为正交方向的抗拉强度TSTD与相对于轧制方向为平行方向的抗拉强度TSLD的强度比TSTD/TSLD超过1.09。
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公开(公告)号:CN105189793A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201380074769.1
申请日:2013-08-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , C22C9/04 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49579 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种铜合金的耐应力松弛特性可靠且充分优异,并且强度、弯曲加工性优异的电子电气设备用铜合金、使用该电子电气设备用铜合金的电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子。本发明的电子电气设备用铜合金含有大于2质量%且小于23质量%的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.05质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.10质量%的Fe、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,且以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<1.5、3<(Ni+Fe)/P<15、0.3<Sn/(Ni+Fe)<5,并且Σ3、Σ9、Σ27a、Σ27b的各晶界长度之和Lσ相对于晶界总长度L的比率、即特殊晶界长度比率(Lσ/L)为10%以上。
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公开(公告)号:CN105074025A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201380074798.8
申请日:2013-08-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , C22C9/04 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49579 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种耐应力松弛特性可靠且充分优异,并且强度、弯曲加工性优异的电子电气设备用铜合金、使用该电子电气设备用铜合金的电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子。本发明的电子电气设备用铜合金含有23质量%以上且36.5质量%以下的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.10质量%的Fe、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,且以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<0.7、3<(Ni+Fe)/P<15、0.3<Sn/(Ni+Fe)<2.9,并且Σ3、Σ9、Σ27a及Σ27b的各晶界长度之和Lσ相对于晶界总长度L的比率、即特殊晶界长度比率(Lσ/L)为10%以上。
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公开(公告)号:CN104903478A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201380067853.0
申请日:2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B32B15/01 , B32B15/04 , B32B15/043 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C2/08 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01B5/02 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12715 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12917 , Y10T428/12924
Abstract: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子,本发明的电子电气设备用铜合金含有超过2.0质量%且15.0质量%以下的Zn、0.10质量%以上且0.90质量%以下的Sn、0.05质量%以上且小于1.00质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.100质量%的Fe、0.005质量%以上且0.100质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<1.500、3.0<(Ni+Fe)/P<100.0、0.10<Sn/(Ni+Fe)<5.00,且由沿平行于轧制方向的方向进行拉伸试验时的强度TS与0.2%屈服强度YS所算出的屈服比YS/TS超过90%。
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公开(公告)号:CN105283567B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201480032947.9
申请日:2014-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金的一方式含有大于2.0质量%且36.5质量%以下的Zn、0.10质量%以上且0.90质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.00质量%的Ni、0.005质量%以上且0.100质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,元素含量的原子比满足3.0<Ni/P<100.0及0.10<Sn/Ni<2.90,并且含有Cu、Zn及Sn的α相的表面的维氏硬度为100以上。
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公开(公告)号:CN104870672A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201380067756.1
申请日:2013-06-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有超过2质量%且小于23质量%的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.05质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.10质量%的Fe、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,且以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<1.5、3<(Ni+Fe)/P<15、0.3<Sn/(Ni+Fe)<5,且一表面中的来自{220}面的X射线衍射强度的比例R{220}为0.8以下。
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公开(公告)号:CN103502489A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201380001177.7
申请日:2013-01-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用铜合金的制造方法、电子电气设备用导电元件以及端子,在所述铜合金中,以质量%计,含有超过2.0%且36.5%以下的Zn、0.1%以上且0.9%以下的Sn、0.05%以上且不到1.0%的Ni、0.001%以上且不到0.10%的Fe以及0.005%以上且0.10%以下的P,剩余部分包括Cu及不可避免杂质,并且,作为这些元素的含量的相互比率,以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<1.5、3<(Ni+Fe)/P<15、0.3<Sn/(Ni+Fe)<5,并且含有Cu、Zn及Sn的α相的晶粒的平均粒径为0.1~50μm,且包括含有Fe和/或Ni以及P的析出物。
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公开(公告)号:CN107923001B
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201680041266.8
申请日:2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中,含有大于2质量%且36.5质量%以下的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P、0.001质量%以上且0.1质量%以下的Fe,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,以原子比计,满足3<(Ni+Fe)/P<30、0.3<Sn/(Ni+Fe)<2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕<0.6,而且,相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕,含有Fe、Ni和P的〔Ni,Fe〕‑P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号:CN107923001A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680041266.8
申请日:2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中,含有大于2质量%且36.5质量%以下的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P、0.001质量%以上且0.1质量%以下的Fe,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,以原子比计,满足3<(Ni+Fe)/P<30、0.3<Sn/(Ni+Fe)<2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕<0.6,而且,相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕,含有Fe、Ni和P的〔Ni,Fe〕-P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号:CN107299248A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201710474023.X
申请日:2013-06-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B21B3/00 , B32B15/01 , C22C9/04 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01B5/02 , Y10T428/12 , Y10T428/12715 , B21B2003/005
Abstract: 本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有23质量%以上且36.5质量%以下的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.10质量%的Fe、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,且以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<0.7、3<(Ni+Fe)/P<15、0.3<Sn/(Ni+Fe)<2.9,并且一表面中的来自{220}面的X射线衍射强度的比例R{220}为0.8以下。
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