公开(公告)号：CN1392641A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02119180.8

申请日：2002-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阿部真司 ,  八木哲哉 ,  宫下宗治 ,  西口晴美 ,  大仓裕二 ,  笠井信之 ,  田代贺久 ,  谷村纯二

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/16

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。

公开(公告)号：CN113557642B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201980093030.2

申请日：2019-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阿部真司

IPC: H01S5/02

Abstract: 本发明的半导体激光器装置制造方法包含：材料准备工序，在与形成有表面电极(15a)以及背面电极(15b)的半导体激光器棒(3)相对的棒形状的副安装座棒主体(22)的表面形成金属层座棒(21)；夹具设置工序，将多个副安装座棒(21)以及半导体激光器棒(3)交替重叠地设置于设置夹具(40)；接合工序，使设置夹具(40)升温，来接合金属层(23)与背面电极(15b)；以及保护膜形成工序，在接合工序之后，针对设置有多个副安装座棒(21)以及半导体激光器棒(3)的设置夹具(40)，通过保护膜形成装置(60)，在半导体激光器棒(3)的解理端面(14)形成保护膜(19)。(23)，来准备搭载半导体激光器棒(3)的副安装

公开(公告)号：CN101442094B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810176804.1

申请日：2008-11-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金本恭三 ,  盐泽胜臣 ,  川崎和重 ,  阿部真司 ,  佐久间仁

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。

公开(公告)号：CN101272037B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810083071.7

申请日：2008-03-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阿部真司

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/16 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333

Abstract: 利用简单的方法制造在GaN系材料的LD中具有高COD耐性的窗结构的LD。包括如下步骤：在GaN系衬底(12)上依次层叠分别由GaN材料形成的缓冲层(14)、第一n-覆盖层(16)、第二n-覆盖层(18)、第三n-覆盖层(20)、n侧光引导层(22)、作为量子阱结构的活性层(26)、以及p侧SCH层(28)、电子势垒层(30)、p侧光引导层(32)、p-覆盖层(34)和接触层(36)，形成半导体叠层结构(55)；解理包含半导体叠层结构(55)的半导体晶片，使半导体叠层结构(55)的解理端面(58)露出；在所露出的解理端面上形成SiO2膜，利用基于预定的热处理Ga空位扩散，使活性层(26)无序化。

公开(公告)号：CN101494270A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910002799.7

申请日：2009-01-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈贵郁 ,  阿部真司 ,  川崎和重 ,  佐久间仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及具备Pd电极的半导体发光元件及其制造方法，目的在于提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件通过牢固地密合Pd电极和绝缘膜从而能够回避电极剥落的问题，并且通过提高Pd电极的作为低电阻欧姆电极的特性而实现激光装置的高功率化和低工作电流化。该半导体发光元件具备：半导体层；形成于该半导体层上且形成有开口部的绝缘膜；形成于该绝缘膜上的多层密合层；和以在该开口部与该半导体层接触，还与该多层密合层接触的方式形成的Pd电极，该多层密合层具有Au层作为最上层，在该Au层与该Pd电极的界面上形成有该Au层的Au与该Pd电极的Pd的合金。

公开(公告)号：CN101478020A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810190645.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈贵郁 ,  楠政谕 ,  川崎和重 ,  阿部真司 ,  佐久间仁

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明涉及具有Pd电极的半导体发光元件的制造方法，其目的在于提供一种半导体发光元件的制造方法，能够以简易方法回避剥落的绝缘膜上Pd电极向半导体发光元件表面上的附着所引起的成品率降低、焊盘电极未形成部分的发生、p型接触层与焊盘电极接触的问题。该方法具备：在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在该开口部和该绝缘膜上形成Pd电极的工序；对该绝缘膜上的该Pd电极施加物理的力，在残留该开口部的该Pd电极的状态下，将该绝缘膜上的该Pd电极剥离并除去的剥离工序。

公开(公告)号：CN101276994A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087473.4

申请日：2008-03-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈贵郁 ,  阿部真司

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333

Abstract: 稳定地防止波导脊的半导体层和电极层的接触面积减小，并且防止在该半导体层上的刻蚀损伤。在半导体叠层结构的表面形成抗蚀剂图形(76)，通过干法刻蚀形成波导脊(40)，在波导脊(40)的表面残留着抗蚀剂图形(76)的状态下，在n－GaN衬底(12)上形成SiO2膜(78)，接下来，形成使波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)露出、具有与n－GaN层(74)的下表面相同程度的高度的表面且埋设沟道(38)的SiO2膜(78)的抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩模除去SiO2膜(78)，在SiO2膜(78)上形成开口部(44a)，通过使用有机溶剂的湿法刻蚀除去抗蚀剂图形(76)和抗蚀剂图形(82)，形成p侧电极(46)。