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    抗蚀剂图案金属化工艺用组合物
    22.
    发明授权
    抗蚀剂图案金属化工艺用组合物 有权

    公开(公告)号：CN113785243B

    公开(公告)日：2025-05-02

    申请号：CN202080032980.7

    申请日：2020-03-27

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

    IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

    Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。

    纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物
    23.
    发明公开
    纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN118633140A

    公开(公告)日：2024-09-10

    申请号：CN202380019390.4

    申请日：2023-01-30

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 德永光 ,  中岛诚 ,  西卷裕和

    IPC: H01L21/027 ,  C08G8/00 ,  C08G12/00 ,  C08G14/00 ,  B29C59/02

    Abstract: 提供显示良好的平坦化性，通过烧成而获得具有高的疏水性和气体透过性的膜，能够提高与疏水性的上层膜的密合性，而且通过变更树脂的分子骨架从而可以调整为适应于工艺的光学常数、蚀刻速度的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含含有芳香族环的化合物、和有机溶剂的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，该组合物能够形成在同一温度下在大气中烧成时和在氮气气氛下烧成时的相对于纯水的接触角之差为26度以内的膜。

    抗蚀剂下层膜形成用组合物
    24.
    发明公开
    抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN117980823A

    公开(公告)日：2024-05-03

    申请号：CN202280063689.5

    申请日：2022-09-13

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 德永光 ,  中岛诚 ,  西卷裕和

    IPC: G03F7/11 ,  C07C211/04 ,  C07C211/05 ,  C07C211/06 ,  C07C309/04 ,  C07C309/06 ,  C07C309/25 ,  C07C309/30 ,  C07C309/35 ,  C07C309/40 ,  C09K3/00

    Abstract: 提供可以形成对高低差基板的埋入性和平坦化性优异，并且保存稳定性高，膜的固化开始温度低，升华物的产生量少，在光致抗蚀剂溶剂中不溶出的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(I)所示的热产酸剂；聚合物(G)，上述聚合物(G)为单元结构(i)与单元结构(ii)经由共价键而结合的酚醛清漆树脂，上述单元结构(i)具有可以具有取代基的芳香族环，上述单元结构(ii)包含可以具有取代基的芳香族环式有机基、可以具有取代基的非芳香族单环式有机基、或可以具有取代基的、包含至少1个非芳香族单环的4～25元的二环、三环或四环式有机基，上述共价键是上述单元结构(i)的芳香族环上的碳原子与上述单元结构(ii)的非芳香族单环上的碳原子的共价键；以及溶剂。(A‑SO3)‑(BH)+(I)[在式(I)中，A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和、或不饱和的脂肪族烃基、可以被取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，B为具有6.5以上的pKa的碱]。

    包含具有固化性官能团的化合物的高低差基板被覆组合物
    25.
    发明授权
    包含具有固化性官能团的化合物的高低差基板被覆组合物 有权

    公开(公告)号：CN111095107B

    公开(公告)日：2023-11-07

    申请号：CN201880059291.8

    申请日：2018-09-12

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

    IPC: G03F7/11 ,  C08G8/28 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A‑1)或式(A‑2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B‑1)～式(B‑5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。#imgabs0#

    包含具有固化性官能团的化合物的高低差基板被覆用组合物
    26.
    发明授权
    包含具有固化性官能团的化合物的高低差基板被覆用组合物 有权

    公开(公告)号：CN114127202B

    公开(公告)日：2023-09-05

    申请号：CN202080051887.0

    申请日：2020-06-22

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 服部隼人 ,  德永光 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

    IPC: C09D7/63 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  C08F20/26

    Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。解决该课题的手段是一种高低差基板被覆用组合物，其是包含主剂化合物(A)和溶剂的高低差基板被覆用组合物，该组合物可通过光照或加热而固化，所述化合物(A)是包含由下述式(A‑1)、式(A‑2)或式(A‑3)表示的局部结构的化合物，式(A‑1)和式(A‑2)中，虚线表示与芳香环的键接，芳香环是构成聚合物骨架的芳香环或构成单体的芳香环，n表示1或2的整数。式(A‑3)中，点划线表示与构成聚合物骨架的链状碳链、脂环式碳环或芳香环的键接，Q表示单键、或者含有醚键、酯键、氨基甲酸酯键、碳原子数1～3的亚烷基键或酰胺键的有机基团，m表示1；但是，式(A‑3)中不包含式(A‑1)。

    使用了含硅组合物的半导体基板的平坦化方法
    27.
    发明授权
    使用了含硅组合物的半导体基板的平坦化方法 有权

    公开(公告)号：CN108885997B

    公开(公告)日：2023-06-02

    申请号：CN201780013335.9

    申请日：2017-02-10

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

    IPC: H01L21/312 ,  B05D7/24 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于Si原子为30摩尔％以下的比例包含硅烷醇基，并且重均分子量为1,000～50,000。

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