公开(公告)号：CN100462823C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN100356519C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN03153085.0

申请日：2003-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02181 ,  C01G27/02 ,  C01G27/04 ,  C01P2006/80 ,  C07F7/003 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl4键合的氮化合物。

公开(公告)号：CN100356518C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN02150443.1

申请日：2002-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 提供了一种在基片上沉积介电层的方法。将用来防止下部电极的氧化和扩散的氧化隔离层插入基片和介电层之间以及介电层之间的界面中。由此，获得具有低漏电流和高电容的电容器。此外，通过调整晶格常数来控制介电常数，以便在大规模基片上形成具有高介电常数的多层结构。

公开(公告)号：CN1891624A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610007135.6

申请日：2006-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵恩珠 ,  闵约赛 ,  朴玩濬

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/17 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/845

Abstract: 提供一种从碳纳米管(CNT)中选择性除去碳质杂质的方法。在该方法中，通过杂质和硫在密闭空间中的硫化反应除去在CNT表面上形成的杂质。更具体地，提供选择性地仅除去无定形碳的方法，通过该方法，碳纳米管壁不与硫反应，且仅有在CNT表面上形成的碳质杂质发生硫化反应(C+2S－－>CS2)，即，提供了通过硫化作用从结合到装置中的CNT中选择性地除去碳质杂质的方法。

公开(公告)号：CN1531032A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028392.9

申请日：2004-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。

公开(公告)号：CN1482653A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03153085.0

申请日：2003-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02181 ,  C01G27/02 ,  C01G27/04 ,  C01P2006/80 ,  C07F7/003 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl4键合的氮化合物。

公开(公告)号：CN1467311A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03107258.5

申请日：2003-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵约赛 ,  裵恩珠 ,  崔原凤 ,  曹永真 ,  李正贤

IPC: C30B23/04 ,  C30B29/10 ,  C30B29/16 ,  C01G55/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

Abstract: 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。