公开(公告)号：CN114914241A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202111546317.1

申请日：2021-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔道永 ,  金成玟 ,  金哲 ,  金孝珍 ,  河大元 ,  韩东佑

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源图案，在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上与第一有源图案相邻；场绝缘膜，置于第一有源图案和第二有源图案之间；第一栅极结构，与第一有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第一栅电极和第一栅极间隔物；第二栅极结构，与第二有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第二栅电极和第二栅极间隔物；栅极分隔结构，置于第一栅极结构和第二栅极结构之间的场绝缘膜上。

公开(公告)号：CN112867895A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980068552.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁哲 ,  高正旭 ,  权容三 ,  金孝珍 ,  赵成振

IPC: F24F1/22 ,  F24F11/89

Abstract: 公开了一种空气调节器，该空气调节器包括：包括通孔的第一框架；可旋转地联接到第一框架的第二框架，第二框架包括翻边部分和由翻边部分形成的翻边孔，该翻边部分的至少一部分沿第一方向可插入通孔中，其中当翻边部分插入第一框架的通孔中时，翻边部分沿第一方向突出；以及紧固构件，沿与第一方向相反的第二方向可插入翻边孔中，并被配置成用作第二框架的旋转轴，其中当紧固构件插入翻边孔中时，紧固构件沿第二方向突出。

公开(公告)号：CN112687731A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010984326.8

申请日：2020-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  李智惠 ,  李商文 ,  李承勋

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并在第一方向上延伸，第一有源图案的上部包括第一沟道图案；第一源极/漏极图案，在第一沟道图案的上部中的凹陷中；以及栅电极，在第一有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极在第一沟道图案的顶表面和侧表面上，其中每个第一源极/漏极图案包括依次提供在凹陷中的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一沟道图案和第一至第三半导体层中的每个包括硅锗(SiGe)，第一半导体层具有比第一沟道图案的锗浓度和第二半导体层的锗浓度高的锗浓度。

公开(公告)号：CN110890425A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910628288.X

申请日：2019-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金孝珍 ,  河大元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括：鳍结构，包括顺序堆叠在衬底上的应力结构和半导体区域。半导体器件包括鳍结构的一部分上的场绝缘层。半导体器件包括鳍结构上的栅电极。此外，应力结构包括氧化物。

公开(公告)号：CN110739311A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910603163.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑舜文 ,  河大元 ,  金成玟 ,  金孝珍 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/02 ,  H01L29/417 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底的逻辑单元区域的PMOSFET部分上的第一有源图案、在逻辑单元区域的NMOSFET部分上的第二有源图案、在衬底的存储单元区域上的第三有源图案、在第三有源图案之间的第四有源图案、以及填充多个第一沟槽和多个第二沟槽的器件隔离层。每个第一沟槽插置在第一有源图案之间和第二有源图案之间。每个第二沟槽插置在第四有源图案之间以及在第三有源图案与第四有源图案之间。第三有源图案和第四有源图案的每个包括彼此垂直间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。

公开(公告)号：CN109003975A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810467183.6

申请日：2018-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  姜沅衡 ,  金孝珍 ,  閔崇富

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案，其中所述共享外延图案的上表面包括：第一共享斜坡及第二共享斜坡，连接第一栅极结构与第二栅极结构；第三共享斜坡，接触第一栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡；以及第四共享斜坡，接触第二栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡。

公开(公告)号：CN106355077A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610563208.3

申请日：2016-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贤哲 ,  金孝珍 ,  李在旭 ,  禹秀泳 ,  李圭三

IPC: G06F21/44 ,  H04L9/08

CPC classification number: G06F21/44 ,  H04L9/3226 ,  H04L9/3263 ,  H04W12/10 ,  H04W12/12 ,  H04W88/02 ,  H04L9/0866

Abstract: 公开认证应用处理器的显示驱动器集成电路和移动装置。显示驱动器集成电路包括：种子生成块，被配置为生成种子；加密块，被配置为加密种子并生成第一加密文本；比较块，被配置为从应用处理器接收第二加密文本，比较第一加密文本和第二加密文本，并基于比较结果输出控制信号信号，其中，种子被加密在第二加密文本中。

公开(公告)号：CN101572068B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200910137713.1

申请日：2009-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金时雨 ,  姜在声 ,  金孝珍 ,  金宗贤

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3655

Abstract: 本发明公开了一种公共电压发生器，其包括运算放大器和多个开关。该运算放大器被配置为放大第一电压与第二电压之间的差并且输出经放大的电压作为公共电压。该多个开关被配置为在第一电压输出模式下将第三电压和第四电压作为电源传送至所述运算放大器，并且在第二电压输出模式下将第五电压和第六电压作为电源传送至所述运算放大器。

公开(公告)号：CN101572068A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910137713.1

申请日：2009-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金时雨 ,  姜在声 ,  金孝珍 ,  金宗贤

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3655

Abstract: 本发明公开了一种公共电压发生器，其包括运算放大器和多个开关。该运算放大器被配置为放大第一电压与第二电压之间的差并且输出经放大的电压作为公共电压。该多个开关被配置为在第一电压输出模式下将第三电压和第四电压作为电源传送至所述运算放大器，并且在第二电压输出模式下将第五电压和第六电压作为电源传送至所述运算放大器。

公开(公告)号：CN119108426A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410236361.X

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南勇准 ,  金真范 ,  李商文 ,  金傔 ,  金孝珍 ,  李泰衡 ,  黄仁建

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，其在所述衬底上沿第一水平方向延伸；多个纳米片，其彼此间隔开并沿垂直方向堆叠在所述有源图案上；栅电极，其在所述有源图案上沿与所述第一水平方向不同的第二水平方向延伸，所述栅电极围绕所述多个纳米片；源极/漏极区，其在所述有源图案上设置在所述栅电极的至少一侧上，所述源极/漏极区包括掺杂有金属的第一层以及设置在所述第一层上的第二层；以及内部间隔物，其设置在所述栅电极和所述第一层之间，所述内部间隔物接触所述第一层并且包括通过氧化所述金属形成的所述金属的金属氧化物。