公开(公告)号：CN110828457A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910747076.3

申请日：2019-08-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵德汉 ,  金辰昱

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。根据示例实施例，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；有源区上的栅结构，所述栅结构包括栅介电层和栅电极层，所述栅电极层具有倒圆的上拐角；和栅结构的侧表面上的栅隔墙层，所述栅隔墙层的上表面在比栅电极层的上表面低的高度处。

公开(公告)号：CN106057808A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610223619.8

申请日：2016-04-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴秀蕙 ,  金伦楷 ,  裵德汉 ,  张在兰 ,  全辉璨

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823871

摘要： 一种半导体器件包括：设置有有源图案的衬底；横过有源图案延伸的栅电极；分别设置于栅电极之间的有源图案的上部中的源极/漏极区域；以及设置在栅电极之间并且分别电连接至源极/漏极区域的第一接触和第二接触。第一接触和第二接触以其接触中心线与相应的栅中心线间隔开第一和第二距离的方式设置。第一距离不同于第二距离。

公开(公告)号：CN105280494A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510395337.1

申请日：2015-07-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全辉璨 ,  裵德汉 ,  宋炫升 ,  河承锡

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本公开的实施方式涉及一种制造包括场效应晶体管的具有改善的电特性半导体器件。根据本公开的实施方式，自对准接触插塞可以利用设置在栅部分上的金属硬掩模部分有效地形成。另外，用于形成自对准接触插塞的光致抗蚀剂掩模的工艺裕度可以通过利用金属硬掩模部分而得以改善。