公开(公告)号：CN101159292A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163042.7

申请日：2007-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  薛光洙 ,  朴祥珍 ,  成政宪 ,  崔相武

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273

Abstract: 一种可包括形成于基底上的隧道绝缘层的电荷陷阱存储器装置。电荷陷阱层可形成于隧道绝缘层上，其中，电荷陷阱层是掺杂有一种或多种过渡金属的较高k介电绝缘层。隧道绝缘层可与电荷陷阱层中的金属相对不发生反应。隧道绝缘层还可减少或防止电荷陷阱层中的金属扩散到基底。

公开(公告)号：CN101030592A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610135956.8

申请日：2006-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  金庸洙 ,  朴允童

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/522 ,  G11C11/02

CPC classification number: G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件，其能够利用金属线读和写信息。该磁存储器件包括：多个第一金属线，在衬底上彼此平行布置并具有磁化方向可转换的连续磁畴；多个第二金属线，垂直交叉该第一金属线地布置在该衬底上并具有该第一金属线从其通过的隧道；第一输入单元，连接到该第一金属线并提供电流来拖动该磁畴；第二输入单元，连接到该第二金属线并应用电流来转换该隧道内该磁畴的磁化方向；及检测单元，连接到该第二金属线并检测由通过该隧道的磁畴壁引起的电动势。因此，该磁存储器件可以通过在衬底上交叉金属线而简单地制造，并能通过根据感应电动势的存在识别位信息而准确地读和写信息。

公开(公告)号：CN1828904A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610007012.2

申请日：2006-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  具本宰 ,  朴允童 ,  朴永洙

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

Abstract: 本发明提供了具有双存储节点结构的半导体存储装置及其制备和操作方法。该半导体存储装置包括：衬底；形成在所述衬底上的第一晶体管；连接到所述第一晶体管的源极区域的第一存储节点；连接到所述第一晶体管的漏极区域的第二存储节点；以及共同接触所述第一存储节点和第二存储节点的板线。可以每单位单元写2位数据，增加了该半导体存储装置的集成度。