半导体装置
    21.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115881780A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202210712796.8

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,包括有源图案;沟道图案,设置在有源图案上,其中,沟道图案包括竖直堆叠并彼此间隔开的多个半导体图案;源极/漏极图案,连接到半导体图案;以及栅电极,设置在半导体图案上。栅电极包括分别置于半导体图案之间的多个部分,源极/漏极图案包括与半导体图案接触的缓冲层和设置在缓冲层上的主层。缓冲层包含硅锗(SiGe),并且包括第一半导体层和在第一半导体层上的第一回流层。第一回流层的锗浓度小于第一半导体层的锗浓度。

    半导体装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112349716A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202010267941.7

    申请日:2020-04-08

    Abstract: 公开了一种半导体装置,所述半导体装置包括:第一有源图案,在基底的有源区域上在第一方向上延伸;第一源极/漏极图案,位于第一有源图案的上部上的凹部中;栅电极,横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸;以及有源接触件,电连接到第一源极/漏极图案。

    半导体存储器件
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116806091A

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202310282088.X

    申请日:2023-03-21

    Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件可以包括:半导体基板;包括电容器的数据存储层,设置在半导体基板上;开关元件层,在数据存储层上并包括电连接到相应电容器的晶体管;以及布线层,在开关元件层上并包括电连接到相应晶体管的位线。相应晶体管包括有源图案、字线以及在字线和有源图案之间的铁电层,该字线与有源图案交叉使得字线围绕有源图案的第一侧壁、第二侧壁和顶表面。

    包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统

    公开(公告)号:CN111199278A

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201911086263.8

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 提供了包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统。所述存储器器件包括:存储体,包括被排列在存储器器件的多个字线和多个位线彼此交叉的区域中的多个存储单元;读出放大器,被配置为放大通过多个位线当中的所选位线而发送的信号;以及算术电路,被配置为从读出放大器接收第一操作数,从存储器器件外部接收第二操作数,并且基于在存储器器件中生成的内部算术控制信号,通过使用第一操作数和第二操作数来执行算术运算。

    半导体器件
    30.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN111078599A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201910994913.2

    申请日:2019-10-18

    Inventor: 李相吉

    Abstract: 本公开提供一种半导体器件。所述半导体器件包括:处理器核,处理程序数据;第一存储器,与处理器核安装在同一半导体芯片上;第二存储器,包括具有第一磁性隧道结结构的磁阻随机存取存储器单元;第三存储器,包括具有与第一磁性隧道结结构不同的第二磁性隧道结结构的磁阻随机存取存储器单元,其中处理器核基于程序数据的属性选择性地将程序数据存储在第一存储器、第二存储器及第三存储器中的一者中。

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