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公开(公告)号：CN101677106B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
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公开(公告)号：CN112073653B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010526057.0
申请日：2020-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/704 , H04N25/70 , H04N25/78 , H04N25/772 , H04N23/67
Abstract: 提供了一种包括像素阵列的图像传感器，像素阵列包括多个自动聚焦(AF)像素和多个普通像素，其中，多个AF像素中的每个AF像素包括两个子像素、设置在两个子像素之间的阻光构件和与两个子像素相对应的透镜，并且其中阻光构件从两个子像素的中间点移位。
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公开(公告)号：CN118039662A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410364754.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：像素隔离结构，设置在半导体衬底中，用于限定第一像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在第一像素区域中；以及分离结构，设置在第一像素区域中，在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间。像素隔离结构可以包括：第一像素隔离部分，在第二方向上彼此间隔开并在第一方向上纵向延伸；以及第二像素隔离部分，在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上纵向延伸以连接到第一像素隔离部分。分离结构可以在第一方向和第二方向上与像素隔离结构间隔开，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上至少部分地与第一光电转换区域和第二光电转换区域处于相同的水平。
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公开(公告)号：CN116646362A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310154302.3
申请日：2023-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括像素区，基板在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一光电转换区和第二光电转换区，设置在像素区中并在第一方向上彼此相邻；深器件隔离图案，在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上穿透基板，并围绕像素区，深器件隔离图案包括在第一光电转换区和第二光电转换区之间在第二方向上延伸的第一延伸部，第一延伸部在第二方向上彼此间隔开；多个第一传输栅电极，与第一光电转换区垂直地重叠；以及多个第二传输栅电极，与第二光电转换区垂直地重叠。第一光电转换区在所述多个第一传输栅电极下方在第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN108257990B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201711390137.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110035241B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201811451035.1
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种图像传感器。一种图像传感器包括：光电转换单元，被配置为接收光以产生电荷并将所述电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为响应于第一信号而将第一节点的电压电平提供给浮置扩散节点；升压器，被配置为响应于第二信号而增大浮置扩散节点的电压电平；源极跟随器晶体管，被配置为将浮置扩散节点的电压电平提供给第二节点；选择晶体管，被配置为响应于第三信号而将第二节点的电压电平提供给像素输出端。在选择晶体管被导通之后，升压器被启用，并且在转移晶体管被导通之前，升压器被禁用。
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公开(公告)号：CN115225836A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210282446.2
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：具有多个像素的像素阵列；行驱动器，向像素阵列提供升压信号；以及读出电路，被配置为读出从由行驱动器选择的行线的像素输出的像素信号。多个像素中的每一个包括：第一光电二极管；传输晶体管，连接到第一光电二极管；第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点，所述第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点连接到传输晶体管以累积由第一光电二极管产生的电荷；LCG电容器，连接到第三浮动扩散节点以累积由第一光电二极管产生的电荷；MCG晶体管，连接在第一浮动扩散节点与第二浮动扩散节点之间；以及LCG晶体管，连接到第三浮动扩散节点。
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公开(公告)号：CN115037890A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210194096.4
申请日：2022-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/359 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列，所述像素阵列包括像素，其中，每个像素包括生成电荷的至少一个光电二极管和基于所述电荷提供像素信号的像素电路。所述图像传感器还包括逻辑电路，所述逻辑电路被配置为基于所述像素信号生成图像，其中，所述像素电路包括并联连接的第一复位晶体管和第二复位晶体管，并且所述逻辑电路基于在曝光时间段期间由所述至少一个光电二极管接收的入射光的水平来确定所述第二复位晶体管是导通还是关断。
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公开(公告)号：CN114725137A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111570513.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，包括：半导体衬底，该半导体衬底包括第一像素区域至第四像素区域，每个像素区域包括第一光电转换部至第四光电转换部；以及像素分隔结构，该像素分隔结构设置在半导体衬底中并且将第一像素区域至第四像素区域彼此分开。第二像素区域在第一方向上与第一像素区域间隔开。第四像素区域在第二方向上与第一像素区域间隔开。第二方向与第一方向相交。半导体衬底包括：设置在第一像素区域至第四像素区域的对应中心部分上的第一杂质部；以及设置在第二像素区域和第四像素区域之间的第二杂质部。掺杂在第一杂质部中的杂质的导电类型与掺杂在第二杂质部中的杂质的导电类型不同。
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公开(公告)号：CN106783898B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610891753.5
申请日：2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器，例如绿色和红色滤光器，可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。
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