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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039407A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610894379.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L24/02 , H01L24/80 , H01L2224/0233 , H01L2224/0237 , H01L2224/80001 , H01L2225/06527
Abstract: 公开了堆叠半导体封装件及其制造方法。提供第一半导体芯片和包围第一半导体芯片侧部的第一绝缘层；提供第二半导体芯片和包围第二半导体芯片侧部的第二绝缘层；在第一半导体芯片和第一绝缘层下方提供第三绝缘层，使得第一半导体芯片在第三绝缘层与第二半导体芯片之间，第三绝缘层形成封装衬底；在第三绝缘层上提供多个外部连接端子，使得第三绝缘层具有面对第一半导体芯片的第一表面和面对外部连接端子的第二表面；提供位于第三绝缘层的第一表面上并且沿着第三绝缘层的第一表面水平延伸的第一再分配线，其接触第一半导体芯片的第一导电焊盘；在第二半导体芯片的表面提供连接至第二导电焊盘的第二再分配线，其穿过第一绝缘层以接触第一再分配线。
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公开(公告)号：CN106847795A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611040818.1
申请日：2016-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/1403 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体装置，通过对黏合材料的飘移控制以固定半导体芯片来提高所述半导体装置的工艺能力和可靠性。半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；飘移控制结构，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的第一表面上。第二半导体芯片与飘移控制结构的至少一部分叠置。
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公开(公告)号：CN101937892B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201010108463.1
申请日：2010-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L25/00 , H01L21/60 , G11C7/10
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29298 , H01L2224/83194 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。
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公开(公告)号：CN102074497A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010525017.0
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/98 , H01L23/535
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05599 , H01L2224/05647 , H01L2224/1147 , H01L2224/11902 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/9201 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。
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公开(公告)号：CN101937892A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010108463.1
申请日：2010-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L25/00 , H01L21/60 , G11C7/10
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29298 , H01L2224/83194 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。
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