存储器模块和包括存储器模块的存储器系统

    公开(公告)号:CN110347331A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910164370.1

    申请日:2019-03-05

    Abstract: 公开了一种存储器模块和包括存储器模块的存储器系统。所述存储器模块包括:第一类型存储器、第二类型存储器、串行存在检测装置和控制器。串行存在检测装置被配置为:在初始化操作期间将第二类型存储器的容量信息传送到外部主机装置。控制器被配置为:在时间上跟随初始化操作的训练操作期间,将从外部主机装置接收的针对第二类型存储器的训练命令传送到第一类型存储器。

    用于优化半导体特性的电子设备及其操作方法

    公开(公告)号:CN120020811A

    公开(公告)日:2025-05-20

    申请号:CN202411645181.3

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 一种电子设备包括Plackett‑Burman设计(PBD)执行电路、遗传算法(GA)执行电路和控制电路。PBD执行电路被配置为生成初始实验设计(DOE)集,该DOE集包括关于外部设备的存储器设备的半导体特性的多个初始案例。GA执行电路被配置为将前一代DOE集转换为下一代DOE集。控制电路被配置为将初始DOE集发送到外部设备,从外部设备接收初始特性评估,基于初始特性评估生成起始DOE集,并控制遗传算法以起始DOE集的实验结果作为输入而被执行。多个初始案例中的每个初始案例对应于影响半导体特性的多个设置值的组合。

    存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法

    公开(公告)号:CN110308869B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN201910231779.0

    申请日:2019-03-26

    Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括:非易失性存储器模块;第一控制器,被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括:易失性存储器装置;非易失性存储器装置;第二控制器,被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时,第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送,而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。

    存储器系统、其操作方法和存储器装置的控制器

    公开(公告)号:CN117457056A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202310912103.4

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 一种存储器系统,其包括存储器装置,所述存储器装置从主机接收包括封装后修复(PPR)命令的多个信号,其中所述存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元、连接到一条或多条冗余字线和多条位线的多个冗余存储器单元、以及反熔丝存储器单元;以及PPR控制电路,其向主机发送对存储器单元阵列的缺陷存储器单元的PPR操作是否已经通过。

    半导体器件和包括半导体器件的电子设备

    公开(公告)号:CN114721981A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202111545971.0

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 提供了一种包括具有改进的可靠性的存储器器件的半导体器件。所述半导体器件包括:至少一个数据引脚,被配置为传输数据信号;至少一个命令地址引脚,被配置为传输命令和地址;至少一个串行引脚,被配置为传输串行数据信号;以及处理电路,连接到所述至少一个数据引脚和所述至少一个串行引脚。所述处理电路被配置为通过至少一个数据引脚从外部接收数据信号,并且所述处理电路被配置为响应于所接收的数据信号而通过至少一个串行引脚输出串行数据信号。

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