用于优化半导体特性的电子设备及其操作方法

    公开(公告)号:CN120020811A

    公开(公告)日:2025-05-20

    申请号:CN202411645181.3

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 一种电子设备包括Plackett‑Burman设计(PBD)执行电路、遗传算法(GA)执行电路和控制电路。PBD执行电路被配置为生成初始实验设计(DOE)集,该DOE集包括关于外部设备的存储器设备的半导体特性的多个初始案例。GA执行电路被配置为将前一代DOE集转换为下一代DOE集。控制电路被配置为将初始DOE集发送到外部设备,从外部设备接收初始特性评估,基于初始特性评估生成起始DOE集,并控制遗传算法以起始DOE集的实验结果作为输入而被执行。多个初始案例中的每个初始案例对应于影响半导体特性的多个设置值的组合。

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