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公开(公告)号：CN1652249A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510004452.8
申请日：2005-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法，其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层，通过构图磁性隧道结层形成磁性隧道结单元区域，在磁性隧道结层上依次沉积一绝缘层和一掩模层，通过在同一蚀刻速率下蚀刻掩模层和绝缘层曝露磁性隧道结单元区域的上表面，以及在绝缘层和磁性隧道结层上面沉积一金属层。
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公开(公告)号：CN1462036A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03104485.9
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。
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公开(公告)号：CN103247693B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310047408.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , G06F3/042
CPC classification number: H01L29/45 , G02F1/13338 , G02F1/1368 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。
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公开(公告)号：CN102253764B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201110033974.6
申请日：2011-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: H03K17/78 , H03K17/941
Abstract: 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管；以及切换晶体管，与光感测晶体管串联，并被配置为输出数据。在待命时间期间，低电压被施加到切换晶体管，并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管，当输出数据时，高电压施加到切换晶体管，并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。
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公开(公告)号：CN102065247B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103914177A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310743625.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F3/044 , H01L27/14678 , H03K17/962 , H03K2017/9606
Abstract: 本发明涉及混合感测触摸屏装置及驱动其的方法。触摸屏装置包括：像素行，其中排列了用于显示图像的像素；用于感测物理触摸的触摸感测单元和用于感测入射光的光感测单元，所述触摸感测单元和所述光感测单元排列在两个邻近像素行之间；第一感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；第二感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；和重置电路，被配置为在像素的激活状态下提供公共电压给所述像素以及在所述光感测单元或者所述触摸感测单元的激活状态下不提供公共电压给所述像素。
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公开(公告)号：CN101714870B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN102065247A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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公开(公告)号：CN101714404A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910204905.X
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40 , H01L27/24 , H01L29/786 , G11C11/4195
CPC classification number: G11C13/00 , G11C5/02 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备。所述多层存储设备包括有源电路单元和有源电路单元上形成的存储部件。行线和列线形成在存储层上。选择晶体管形成在行线和列线的侧端。
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公开(公告)号：CN101527318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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