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公开(公告)号:CN109837524B
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN201811431633.2
申请日:2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/511 , C01B32/186 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50%至99%的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外,所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。
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公开(公告)号:CN113725107A
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN202110333720.X
申请日:2021-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N23/2273
Abstract: 提供了通过使用X射线光电子能谱(XPS)来测量石墨烯层的厚度的方法和测量硅碳化物的含量的方法。计算直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法包括:通过使用从石墨烯层发射的光电子束的信号强度与从硅衬底发射的光电子束的信号强度之间的比值来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度。
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公开(公告)号:CN106410002B
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201610601246.3
申请日:2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料,如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体,且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
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公开(公告)号:CN108572512A
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201711188432.X
申请日:2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70983 , G03F1/22 , G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/70283 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G03F7/0035
Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。
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公开(公告)号:CN103715259B
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201310221610.X
申请日:2013-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括:在基板上的第一电极;在第一电极上的半导体层;在半导体层上的石墨烯沟道,该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸;在石墨烯沟道上的第二电极,该第二电极在第一区域上;覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层;以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对,半导体层设置在其间。
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公开(公告)号:CN103715259A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310221610.X
申请日:2013-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括:在基板上的第一电极;在第一电极上的半导体层;在半导体层上的石墨烯沟道,该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸;在石墨烯沟道上的第二电极,该第二电极在第一区域上;覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层;以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对,半导体层设置在其间。
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