带载体的金属箔及布线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN107249876A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201680011755.9

    申请日:2016-02-19

    CPC classification number: B32B15/08 H01L23/12 H05K3/20

    Abstract: 带载体的金属箔(10)具有载体(11)、极薄金属箔层(12)、以及位于它们之间的剥离层(13)。剥离层(13)的厚度为1nm以上且1μm以下。载体(11)具有从极薄金属箔层(12)的外缘的至少一部分伸出的伸出部位(111a、111b)。伸出部位(111a、111b)之中,在位于极薄金属箔层侧的面设置有表面保护层是适当的。表面保护层由剥离层(13)的伸出部形成也是适当的。表面保护层由包含防锈剂的层形成也是适当的。根据JIS Z8741‑1997测定的、在入射角60°下的极薄金属箔层(12)表面与伸出部位(111a、111b)表面的光泽度之差ΔGs为30以上也是适当的。

    印刷电路板的制造方法
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113574976B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202080022024.0

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 提供有效地抑制图案不良且微细电路形成性也优异的印刷电路板的制造方法。该印刷电路板的制造方法包括以下工序:准备具备粗糙面的绝缘基材的工序;对绝缘基材的粗糙面进行化学镀,从而形成厚度小于1.0μm的化学镀层的工序,所述化学镀层具有依据JIS B0601‑2001测定的算术平均波纹度Wa为0.10μm以上且0.25μm以下、并且依据ISO25178测定的谷部的空隙容积Vvv为0.010μm3/μm2以上且0.028μm3/μm2以下的表面;在化学镀层的表面层叠光致抗蚀层的工序;进行曝光及显影,从而形成抗蚀图案的工序;对化学镀层进行电镀的工序;将抗蚀图案剥离的工序;以及,利用蚀刻将化学镀层的不需要的部分去除,从而形成布线图案的工序。

    印刷电路板的制造方法
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113574977B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202080022027.4

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 提供有效地抑制图案不良、且微细电路形成性也优异的印刷电路板的制造方法。该印刷电路板的制造方法包括以下工序:准备具备粗糙面的绝缘基材的工序;对绝缘基材的粗糙面进行化学镀,从而形成厚度小于1.0μm的化学镀层的工序,所述化学镀层具有依据JIS B0601‑2001测定的算术平均波纹度Wa为0.10μm以上且0.25μm以下、并且依据ISO25178测定的峭度Sku为2.0以上且3.5以下的表面;在化学镀层的表面层叠光致抗蚀层的工序;进行曝光及显影,从而形成抗蚀图案的工序;对化学镀层进行电镀的工序;将抗蚀图案剥离的工序;以及,利用蚀刻将化学镀层的不需要的部分去除,从而形成布线图案的工序。

    粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

    公开(公告)号:CN115038819A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202180012213.4

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中能兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的界面扩展面积比Sdr为3.50%以上且12.00%以下。该粗糙化处理铜箔的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的中心部的水平差Sk为0.15μm以上且0.35μm以下。

    印刷电路板的制造方法
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113574976A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202080022024.0

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 提供有效地抑制图案不良且微细电路形成性也优异的印刷电路板的制造方法。该印刷电路板的制造方法包括以下工序:准备具备粗糙面的绝缘基材的工序;对绝缘基材的粗糙面进行化学镀,从而形成厚度小于1.0μm的化学镀层的工序,所述化学镀层具有依据JIS B0601‑2001测定的算术平均波纹度Wa为0.10μm以上且0.25μm以下、并且依据ISO25178测定的谷部的空隙容积Vvv为0.010μm3/μm2以上且0.028μm3/μm2以下的表面;在化学镀层的表面层叠光致抗蚀层的工序;进行曝光及显影,从而形成抗蚀图案的工序;对化学镀层进行电镀的工序;将抗蚀图案剥离的工序;以及,利用蚀刻将化学镀层的不需要的部分去除,从而形成布线图案的工序。

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