公开(公告)号：CN103151382B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310056587.3

申请日：2013-02-22

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 李亦衡 ,  丁永平 ,  王晓彬

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种具有多个晶体管的半导体器件，包括一个端接区，带有不对称栅极的晶体管。该半导体器件包括具有多个有源晶体管的有源区，其中每个有源晶体管都含有源极、漏极和栅极区。源极和栅极区相互分离，并且相互绝缘。端接区包围着有源区。端接区包括多个分离的端接沟槽、每个沟槽都用导电材料和绝缘材料填充。电绝缘材料沉积在导电材料和衬底导电材料之间。多个端接沟槽中的其中之一沉积在有源区和多个端接沟槽的其余沟槽之间，栅极区就形成在端接沟槽中，与屏蔽栅极区重叠并间隔开，从而使栅极多晶硅的剖面面积小于晶体管中作为不对称设计的栅极区的剖面面积。

公开(公告)号：CN102891169B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210244919.6

申请日：2012-07-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 李亦衡 ,  马督儿·博德 ,  丁永平 ,  金钟五 ,  安荷·叭剌

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明为具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法，公开了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，含有一个形成在轻掺杂区上的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区。边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在重掺杂区中，终接沟槽内衬电介质层，并且用导电材料填充。边缘终接还包括多个掩埋保护环，作为掺杂区，在半导体衬底的轻掺杂区中，紧靠终接沟槽。

公开(公告)号：CN103579345A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310317096.X

申请日：2013-07-26

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  胡军 ,  金钟五 ,  丁永平

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/401 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/66484

摘要： 本发明为高压场平衡金属氧化物场效应晶体管。一种形成在半导体衬底中的半导体功率器件含有一个重掺杂区，在由重掺杂区承载的轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近。该半导体功率器件还包括源极沟槽，在由导电沟槽填充材料填充的重掺杂区中打开，导电沟槽填充材料与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括沉积在源极沟槽下方的掩埋P-区，并用导电类型与重掺杂区相反的掺杂物掺杂。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN103295908A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310052209.8

申请日：2013-02-18

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 丁永平 ,  雷燮光 ,  安荷·叭剌

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66734

摘要： 提出了一种在沟槽式DMOS器件中，制备带有步进分级厚度的栅极-氧化物的方法。首先，提供衬底，并且在上方制备氧化硅-氮化硅-氧化硅（ONO）保护复合层。其次，在衬底中，制备上部临时沟槽、上部沟槽保护壁以及下部临时沟槽。然后，在厚度为T1、深度为D1的所需的厚氧化层中，形成下部临时沟槽周围的衬底材料的图案，并氧化。之后，从制备中的器件上剥去之前形成的上部沟槽保护壁，然后在上部临时沟槽的垂直表面上，制备厚度为T2（T2

公开(公告)号：CN102891169A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210244919.6

申请日：2012-07-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 李亦衡 ,  马督儿·博德 ,  丁永平 ,  金钟五 ,  安荷·叭剌

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明为具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法，公开了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，含有一个形成在轻掺杂区上的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区。边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在重掺杂区中，终接沟槽内衬电介质层，并且用导电材料填充。边缘终接还包括多个掩埋保护环，作为掺杂区，在半导体衬底的轻掺杂区中，紧靠终接沟槽。