公开(公告)号：CN118087035A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410197054.5

申请日：2020-03-03

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/08 ,  C30B29/36 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167

Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种新型的SiC外延衬底的制造方法及其制造装置。其中，使SiC衬底(10)与掺杂浓度比该SiC衬底(10)低的SiC材料(20)相对置并进行加热，从SiC材料(20)向SiC衬底(10)输送原料，从而形成SiC外延层(11)。由此，与常规方法(化学气相沉积法)相比，能够提供削减了控制参数的SiC外延衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN117981065A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280063703.1

申请日：2022-12-09

Applicant: 学校法人关西学院 ,  株式会社山梨技术工房 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  浅川和宣

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种能够在不破坏半导体衬底的情况下评价加工变质层的新技术，作为解决该问题的手段，本发明包括：测量工序，从在表面下方具有加工变质层的半导体衬底的表面入射具有侵入特性的激光，测量在所述表面下方散射的散射光的强度；以及评价工序，基于在所述测量工序中获得的散射光的强度，进行所述加工变质层的评价。

公开(公告)号：CN114174570B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202080024455.0

申请日：2020-03-25

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种在同一装置系统中进行半导体衬底的蚀刻和生长的方法及其装置。一种半导体衬底的制造方法包括：第一加热步骤，对收纳有半导体衬底和与所述半导体衬底相互输送原子的收发体的热处理空间进行加热，以在所述半导体衬底和所述收发体之间形成温度梯度；以及第二加热步骤，使所述温度梯度高低反转来进行加热。

公开(公告)号：CN114375351B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202080055201.5

申请日：2020-08-05

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底(11)的制造方法，其具有对SiC原衬底(10)进行热处理的热处理步骤(S1)，热处理步骤(S1)包括下述(a)、(b)、(c)步骤中的两个以上的步骤：(a)去除SiC原衬底(10)的应变层(101)的应变层去除步骤(S11)；(b)去除SiC原衬底(10)上的宏观台阶聚束(MSB)的聚束去除步骤(S12)；(c)在SiC原衬底(10)上形成减少了基底面位错(BPD)的生长层(105)的基底面位错减少步骤(S13)。

公开(公告)号：CN113227465B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201980072577.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  芦田晃嗣 ,  井原知也 ,  堂岛大地

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。

公开(公告)号：CN115443352A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180028128.7

申请日：2021-03-30

Applicant: 学校法人关西学院 ,  东洋铝株式会社 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  松原萌子 ,  西尾佳高

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的AlN衬底的新颖技术。本发明涉及一种AlN衬底的制造方法，包括在具有贯通孔(11)的SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外，本发明还涉及一种形成AlN层(20)的方法，包括在SiC基底衬底(10)的表面上形成AlN层(20)之前在SiC基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。

公开(公告)号：CN114423890A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065954.4

申请日：2020-09-24

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  小岛清

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明是所要解决的技术问题是提供高质量的SiC半导体装置。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC半导体装置的制造方法，其包括：生长步骤，在包括SiC单晶的被处理体上形成生长层；器件形成步骤，在所述生长层中形成SiC半导体装置的至少一部分；以及分离步骤，将所述SiC半导体装置的至少一部分从所述被处理体分离。通过采用这样的结构，本发明可以在晶片翘曲得到抑制的SiC晶片上形成SiC半导体装置的至少一部分之后，分离包含该一部分的SiC晶片，因而可以在抑制由晶片翘曲对SiC工艺的影响的同时实现经济性优异的SiC半导体装置的制造。

公开(公告)号：CN114303232A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080055185.X

申请日：2020-08-05

Applicant: 株式会社电装 ,  学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  金子忠昭

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于制造SiC衬底的新颖技术，其可以去除应变且实现与进行了CMP的情况相同程度的平坦表面。该技术在包含Si元素和C元素的气氛下对表面的算术平均粗糙度(Ra)为100nm以下的SiC衬底进行蚀刻。

公开(公告)号：CN114174567A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080018853.1

申请日：2020-03-03

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  吉田奈都纪 ,  青木一史

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种制造基底衬底层较薄的SiC衬底并可抑制其变形或破损的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC基底衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)，并进行加热以使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压和形成温度梯度。其中，所述主体容器(20)具有在所述SiC基底衬底(10)的一面形成生长层(11)的生长空间(S1)和对所述SiC基底衬底(10)的另一面进行蚀刻的蚀刻空间(S2)。

公开(公告)号：CN114007873A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080022412.9

申请日：2020-05-25

Applicant: 丰田通商株式会社 ,  丰通汽车创新株式会社

Inventor： 古森祐穗 ,  舘野典 ,  小山刚史

IPC: B60B21/02 ,  B60B21/12

Abstract: 谐振器(30)通过与车轮(20)的轮辋(21)的外周面卡合而固定于该外周面。谐振器(30)具有：主体部(31)，内置沿着轮辋(21)的外周面延伸的长条状的共鸣空间(S)；和开口部(34)，形成于主体部(31)，使共鸣空间(S)的延设方向的两端的至少一方与该共鸣空间(S)的外部连通。共鸣空间(S)和开口部(34)构成共鸣管。