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公开(公告)号：CN113227465B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980072577.4
申请日：2019-11-05
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。
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公开(公告)号：CN114293247A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111338480.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3)，且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下，以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果，通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。
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公开(公告)号：CN113227466A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980072707.4
申请日：2019-11-05
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有台阶高度被控制的生长层的SiC半导体衬底及其制造方法以及其制造装置。其特征在于，包括用于使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长的生长步骤。这样通过使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长，可以提供一种生长层的台阶高度被控制的SiC半导体衬底。
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公开(公告)号：CN114144644A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080030893.8
申请日：2020-04-24
Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的温度分布评价方法、温度分布评价装置以及均热范围的评价方法，所述温度分布评价方法对加热装置(40)所具备的加热区域(40A)的温度分布进行评价，其中，在所述加热区域(40A)中对半导体衬底(10)和用于与该半导体衬底(10)相互输送原料的收发体(20)进行加热，基于所述半导体衬底(10)的衬底厚度变化量(A)评价所述加热区域(40A)的温度分布。由此，可以实现由于热电偶的材料限制而难以实现的1600至2200℃等的高温度区域的温度分布评价。
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公开(公告)号：CN113227465A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980072577.4
申请日：2019-11-05
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114293247B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202111338480.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3)，且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下，以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果，通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。
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公开(公告)号：CN114351248B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111339283.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的制造装置，其包括：在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气的SiC容器；和能够在Si环境下对所述SiC容器进行加热的高温真空炉。
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公开(公告)号：CN114351248A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111339283.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的制造装置，其包括：在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气的SiC容器；和能够在Si环境下对所述SiC容器进行加热的高温真空炉。
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公开(公告)号：CN111968902A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010829477.6
申请日：2017-04-27
Applicant: 学校法人关西学院
Abstract: 本发明提供一种具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价方法，其特征在于：包括：使用扫描型电子显微镜，基于以相对于作为所述SiC基板的表面的(0001)面的垂线倾斜的入射电子角对该SiC基板的表面入射电子束而获得的影像，来评价所述SiC基板的质量的步骤，所述SiC基板以支撑于倾斜支撑台的状态被照射电子束，所述倾斜支撑台的支撑面具有与所述SiC基板的偏角相同的倾斜角。
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公开(公告)号：CN107002288B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B33/12 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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