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公开(公告)号：CN113227466A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980072707.4
申请日：2019-11-05
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有台阶高度被控制的生长层的SiC半导体衬底及其制造方法以及其制造装置。其特征在于，包括用于使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长的生长步骤。这样通过使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长，可以提供一种生长层的台阶高度被控制的SiC半导体衬底。
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公开(公告)号：CN113227465B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980072577.4
申请日：2019-11-05
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。
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公开(公告)号：CN114144644A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080030893.8
申请日：2020-04-24
Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的温度分布评价方法、温度分布评价装置以及均热范围的评价方法，所述温度分布评价方法对加热装置(40)所具备的加热区域(40A)的温度分布进行评价，其中，在所述加热区域(40A)中对半导体衬底(10)和用于与该半导体衬底(10)相互输送原料的收发体(20)进行加热，基于所述半导体衬底(10)的衬底厚度变化量(A)评价所述加热区域(40A)的温度分布。由此，可以实现由于热电偶的材料限制而难以实现的1600至2200℃等的高温度区域的温度分布评价。
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公开(公告)号：CN113227465A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980072577.4
申请日：2019-11-05
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。
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