-
公开(公告)号：CN116762157A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202280009850.0
申请日：2022-01-14
Applicant: 学校法人关西学院 , 株式会社山梨技术工房 , 丰田通商株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种能够在不破坏半导体单晶衬底的情况下评价加工变质层的新技术。本发明是一种加工变质层的评价方法，其中，使激光(L1)从半导体单晶衬底(100)的表面入射，基于在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。本发明包括：测量步骤(S20)，测量使激光(L1)入射到半导体单晶衬底(100)的内部而散射的散射光(L4)；以及评价步骤(S30)，基于散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。
-
公开(公告)号：CN117981065A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063703.1
申请日：2022-12-09
Applicant: 学校法人关西学院 , 株式会社山梨技术工房 , 丰田通商株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/304
Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种能够在不破坏半导体衬底的情况下评价加工变质层的新技术，作为解决该问题的手段，本发明包括：测量工序，从在表面下方具有加工变质层的半导体衬底的表面入射具有侵入特性的激光，测量在所述表面下方散射的散射光的强度；以及评价工序，基于在所述测量工序中获得的散射光的强度，进行所述加工变质层的评价。
-
公开(公告)号：CN118077033A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280067471.7
申请日：2022-09-26
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , C30B29/36
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种减少碳化硅的堆垛层错SF的新技术。此外，本发明要解决的问题是提供一种能够在更少的生长条件下减少堆垛层错SF的新技术。本发明是一种用于减少碳化硅中的堆垛层错的方法，该方法包括：在SiC‑C平衡蒸气压环境下在具有堆垛层错SF的碳化硅主体层(10)上生长外延层20的生长步骤(S10)。
-
公开(公告)号：CN118020143A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280064829.0
申请日：2022-09-26
IPC: H01L21/205 , C30B23/06 , C30B29/36
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种使外延层的载流子浓度均匀化的新技术。本发明是一种使外延层的载流子浓度均匀化的方法，该方法包括：在平衡蒸气压环境下在主体层(10)上生长外延层(20)的生长步骤(S10)。这样，通过包括在平衡蒸气压环境下生长外延层(20)的生长步骤(S10)，可以抑制外延层(20)中的载流子浓度的变化。
-
公开(公告)号：CN115461501A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180028149.9
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的半导体衬底的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：在具有贯通孔(11)的基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外，本发明还是一种形成生长层(20)的方法，包括：在基底衬底(10)的表面上形成生长层(20)之前在基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115398604A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028148.4
申请日：2021-03-30
IPC: H01L21/324 , C30B33/02 , C30B33/04 , B23K26/382 , H01L21/268 , C30B29/38
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够去除引入到氮化铝衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种氮化铝衬底的制造方法，其包括通过在氮气氛下对所述氮化铝衬底进行热处理而去除所述氮化铝衬底的应变层的应变层去除步骤。这样，本发明可以去除引入到氮化铝衬底中的应变层。
-
公开(公告)号：CN114424322A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080066201.5
申请日：2020-09-24
Inventor： 金子忠昭
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/04 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/10
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够减少去除应变层时的材料损失的、用于制造SiC衬底的新技术。本发明是一种SiC衬底(30)的制造方法，其包括：应变层薄化步骤(S1)，通过使SiC衬底体(10)的应变层(12)移动到表面侧来使应变层(12)变薄。这样，通过包括使应变层(12)移动(集中)到表面侧的应变层薄化步骤(S1)，可以减少去除应变层(12)时的材料损失(L)。
-
公开(公告)号：CN114423888A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065953.X
申请日：2020-09-24
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。为了解决上述问题，本发明实现了一种半导体衬底的制造方法及其制造装置，所述半导体衬底的制造方法包括：设置步骤，交替设置原衬底和原料体；以及加热步骤，加热所述原衬底和所述原料体并在所述原衬底上形成生长层。通过采用这样的结构，本发明可以在多个原衬底各自中同时实现期望的生长条件，因而可以提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。
-
公开(公告)号：CN114174566A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080018852.7
申请日：2020-03-03
Abstract: 本发明解决的问题是提供一种减少了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。此外，本发明解决的问题是提供一种去除了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)，并且加热所述主体容器(20)，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并且形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有蚀刻空间(S1)，所述蚀刻空间(S1)是在将所述SiC衬底配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成的。
-
公开(公告)号：CN114174564A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080030894.2
申请日：2020-04-24
Inventor： 金子忠昭
IPC: C30B23/06 , H01L21/20 , H01L21/203 , C30B29/36
Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的半导体衬底的制造方法和制造装置。实现了一种半导体衬底的制造方法及用于该方法的制造装置，所述制造方法包括：设置步骤，将具有半导体衬底的多个被处理体以堆叠的方式设置；和加热步骤，对多个所述被处理体的每一个进行加热，使得在所述半导体衬底的厚度方向上形成温度梯度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
68
records
(took 0.043 seconds)
