公开(公告)号：CN118765340A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202280092520.2

申请日：2022-12-28

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  户田晃平 ,  佐佐木淳 ,  小岛清

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/18 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制堆垛层错形成的新技术。此外，本发明要解决的问题是提供一种能够抑制在半导体基板上外延生长过程中形成的堆垛层错的新技术。本发明提供了一种抑制堆垛层错的形成的方法，该方法包括：去除半导体基板(10)的加工变质层(11)的加工变质层去除工艺(S10)；以及对已去除加工变质层(11)的表面进行晶体生长的晶体生长工艺(S20)。

公开(公告)号：CN118077033A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280067471.7

申请日：2022-09-26

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  户田晃平 ,  佐佐木淳 ,  小岛清

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种减少碳化硅的堆垛层错SF的新技术。此外，本发明要解决的问题是提供一种能够在更少的生长条件下减少堆垛层错SF的新技术。本发明是一种用于减少碳化硅中的堆垛层错的方法，该方法包括：在SiC‑C平衡蒸气压环境下在具有堆垛层错SF的碳化硅主体层(10)上生长外延层20的生长步骤(S10)。

公开(公告)号：CN118020143A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280064829.0

申请日：2022-09-26

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  户田晃平 ,  佐佐木淳 ,  小岛清

IPC: H01L21/205 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种使外延层的载流子浓度均匀化的新技术。本发明是一种使外延层的载流子浓度均匀化的方法，该方法包括：在平衡蒸气压环境下在主体层(10)上生长外延层(20)的生长步骤(S10)。这样，通过包括在平衡蒸气压环境下生长外延层(20)的生长步骤(S10)，可以抑制外延层(20)中的载流子浓度的变化。