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公开(公告)号：CN101572290B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910052406.3
申请日：2009-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中O2气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm左右，利用等离子刻蚀的技术刻蚀TiN薄膜，最后清洗光刻胶得到40nm～100nm的柱状纳米加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。本发明不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其他电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101794863A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127277.2
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种电阻存储器装置，所述装置包含一对电极，电极对之间是存储材料；存储材料由两种以上的固体混合而成，其中至少有一固体具备相变能力，至少有一固体不具备相变能力；所述存储器装置在电信号的作用下能够实现器件在高、低电阻之间的转换。本发明的电阻存储器中的存储材料中包含一种及一种以上的相变材料，此外还包含不具备相变能力的功能材料；本发明能够将器件的功耗进一步地缩小，且提升热稳定性。
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公开(公告)号：CN101494196B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910045929.5
申请日：2009-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法，其首先利用CVD技术在衬底上依次沉积第一介质材料层、相变材料层、第二介质材料层，然后利用90nm以下CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在已形成的结构上制备纳米图形，并利用RIE将其干法刻蚀成纳米柱状结构，接着再利用CVD技术在纳米柱状结构上沉积一绝缘层，并利用化学机械抛光技术将其磨平至所述第二介质材料层，接着利用CVD技术在已磨平的结构上沉积作为上电极材料的金属层，最后利用90nm以下CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在金属层上刻蚀形成纳米上电极图形以得到纳米相变存储单元阵列，如此可制备出100nm以下的高密度低功耗的纳米相变存储单元阵列。
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公开(公告)号：CN101770164A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044948.6
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构压印硬模板，属于纳米制造领域。其特征在于：利用多孔阳极氧化铝(AAO)膜技术制备硬质材料基底多孔模板，通过增加硬质基底和表面修饰处理后直接作压印(自上而下)模板。多孔阳极氧化铝膜可以自组织生长成六度对称的有序多孔结构，孔洞陡直且分布均匀，用它作为模板通过热蒸发、溅射和沉积以及电化学组装等定向组装(自下而上)的加工方法已经制备出各种具有光学、电学和磁学等性能的纳米结构和器件。本发明通过增加硬质材料基底和表面修饰处理将AAO模板技术移植到自上而下的表面微结构加工领域，这种纳米级高密度结构压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。同时，由于增加了硬质基底，克服了现有AAO模板脆且易碎的缺点，更利于软模板复制。
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公开(公告)号：CN101510584B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910047721.7
申请日：2009-03-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：下电极层；处于下电极层表面且为导电材料的加热电极层；处于加热电极层表面的组合层，组合层包括自层表面向层内扩散成第一锥状和自第一锥状锥底部处继续向层内收缩成第二锥状的相变材料区、及和相变材料区组合形成层结构的绝缘材料区，其中，第一锥状和第二锥状的锥顶部的宽度都处于加热电极层宽度的0.01倍至0.03倍之间；处于组合层表面的上接触电极层；处于上接触电极层表面的上电极层。而制备方法包括：首先在半导体衬底上制备下电极通孔，并往所述下电极通孔内沉积导电材料以形成金属拴塞，接着溅射沉积相变材料，并化学机械抛光表面，最后再沉积导电材料以形成金属塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101673755A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196237.0
申请日：2009-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/82 , H01L21/329 , G11C11/56
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管由四层不同特性的半导体材料组成，通过离子注入、固相外延或者化学气相沉积的方法制备。该方法制备的复合结构的二极管有产生的干扰电流小、驱动电流大的特点，同时本发明的结构适用于高密度的相变存储器，采用CMOS工艺，成本低。
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公开(公告)号：CN100582002C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710040302.1
申请日：2007-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的存储材料为硅-锑混合物，组成通式为SixSb100-x，0＜x＜90，优先推荐组成为5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份，可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点：较好的可调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有污染、较好的可加工性、环境友好性等，具有广阔的应用前景。硅-锑合金材料是用于存储器的理想存储介质。
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公开(公告)号：CN101587905A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810037819.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
Abstract: 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory－CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
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公开(公告)号：CN101581878A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810037349.7
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明是关于一种软压印模板的制造方法。其特征在于：通过多孔阳极氧化铝(AAO)模板复制出软模板。多孔阳极氧化铝孔径一般为10～500nm，孔洞较直分布均匀，作为母模板可以复制出高分辨率和高复型精度的软模板，减少了模板的制作成本和周期。本发明的显著特点是制作模板成本低廉，周期短，工艺简单，复制出来的软模板可以重复使用，能够实现大面积压印。
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公开(公告)号：CN101546728A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910050396.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法，包括：在底电极材料衬底上沉积一层金属薄膜；利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术，制备出光刻胶图形；利用反应离子刻蚀技术中O2气体，对光刻胶的形貌进行修整，将光刻胶直径调整到50nm左右；再用等离子刻蚀的技术刻蚀金属薄膜和相变材料的复合结构形成柱状结构；清洗光刻胶，即得纳米柱状电极形貌；沉积一层绝缘材料覆盖住上述结构，然后用化学机械抛光的方法抛平表面，停留在金属薄膜上；再沉积上电极材料，通过刻蚀的方法形成上电极图形，即得纳米级柱状相变存储器单元阵列。该方法不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。
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