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公开(公告)号：CN1866002B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200610026520.5
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/22
Abstract: 本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法，特征在于所述的敏感膜的组成材料为6-巯基尼古丁酸(6-MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(-NO2)或硝酸酯基(-ONO2)的爆炸物敏感，可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰，形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点，在敏感性能方面明显优于国外使用的4-巯基苯甲酸(4-MBA)单分子层敏感膜，能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气，可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。
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公开(公告)号：CN1832050B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200610023827.X
申请日：2006-02-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，其特征在于将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中，缓慢调节探针升降旋钮，先粗调后细调，当探针针尖和样品表面接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中的报警器报警，表明针尖与样品已经接触上，可以进行样品的电学性能测量；具有有效地保护样品，避免纳米电极和相变材料被针尖划伤甚至扎穿，造成上、下电极短路；可以保护针尖本身，避免压力过大使针尖翘曲、变形，甚至断裂；可以实现低温、高温或其它环境下探针与电极的可靠接触。
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公开(公告)号：CN102148329A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110026033.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN1825649B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610023390.X
申请日：2006-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为GexWyN1-x-y、GexTiyN1-x-y、GexWyO1-x-y、GexTiyO1-x-y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和TiAlN等相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN101372560B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810201230.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法，用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO2磨料稀释成浓度10％(质量分数)以下，作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解，然后加入酸在90-100℃陈化，制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10％以下，通过强阳离子交换树脂，制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中，加入一定量碱，控制pH值在8-11之间，恒温加热并剧烈搅拌，陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中，硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围；提高化学机械抛光的应用范围；能够改善表面化学性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034804A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010512040.6
申请日：2010-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/065 , H01L27/115 , H01L21/98 , G11C16/02
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。
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公开(公告)号：CN101329909B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810040952.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。
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公开(公告)号：CN101582485B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910053119.4
申请日：2009-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb2Se3)100-xYx，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb2Se3)100-xYx存储材料不仅保留了Sb2Se3存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb2Se3存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb2Se3)100-xYx存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
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公开(公告)号：CN101267017B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810034940.7
申请日：2008-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中通过自身发热完成相变，同时在环形相变材料的两端通过加相变材料保温层作为封盖形成管状，以提高读写操作中热量的利用效率，存储部分为一个上下用相变材料封盖的管状结构，里面填充金属、绝缘绝热材料或者高阻材料。本发明的存储器结构可以降低写操作电流、功耗小、热量利用率高、数据保持性能好，可以提高在芯片中器件的阻值一致性。
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公开(公告)号：CN101826546A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010141273.X
申请日：2010-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级侧壁限制的电阻转换存储器单元及其制造方法，该存储器单元结构，包括：上电极、下电极、以及分别与上电极和下电极相接触的存储单元，在所述存储单元周围设有绝缘材料将其隔离，所述存储单元在平行于电极方向的横截面为平行四边形，且所述平行四边形的其中一边长为另一边长的1.5倍以上，所述存储单元与所述一电极的接触面积等于或大于其与所述另一电极的接触面积。本发明通过绝缘侧壁限制了存储单元的体积，有效地缩小了存储单元与电极的接触面积，降低了功耗，而且绝缘侧壁对存储单元还起到了绝缘、绝热、抗扩散的作用，从而可提升存储器的可靠性。
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