-
公开(公告)号：CN102011089B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010289914.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN102034804B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010512040.6
申请日：2010-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/065 , H01L27/115 , H01L21/98 , G11C16/02
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。
-
公开(公告)号：CN102945924A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210537556.5
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用，按照化学通式Ti1-x-ySbxTey中Sb和Te的配比采用SbxTey合金靶以及Ti靶共溅射，其中，共溅射时，通入惰性气体和掺杂源，获得经掺杂的TiSbTe相变存储材料；所述Ti1-x-ySbxTey中，0
-
公开(公告)号：CN102263041B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010186449.3
申请日：2010-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余部分半导体，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离等工艺；继续在键合圆晶上制造选通单元和电阻转换存储单元，获得的多层堆叠电阻转换存储器中的重掺杂半导体为字/位线。本发明采用重掺杂的半导体字/位线取代金属字/位线，能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
-
公开(公告)号：CN101478030B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910045870.X
申请日：2009-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及包含夹层的相变存储器单元及制作方法，其特征在于在电极材料层与相变材料层之间添加单质金属夹层的结构，所述的单质金属夹层的厚度小于10nm。所述的添加单质金属夹层为下述三种结构中的任一种：①单质金属夹层位于下电极层和相变材料层之间；②单质金属夹层位于相变材料层和上电极层之间；③单质金属的第一夹层位于下电极层和相变材料层之间，单质金属的第二夹层位于相变材料层和上电极层之间，且第一夹层和第二夹层的单质金属组分和厚度可相同或不相同，由于夹层的引入能够提高相变材料的结晶速度、降低相变材料的熔点，与传统的相变存储器结构相比，包含夹层的相变存储器具有较高编程速度和较低的编程功耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593350A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110020727.2
申请日：2011-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。
-
公开(公告)号：CN101640251B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810200709.0
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极1、顶电极的过渡层2，以及与顶电极的过渡层2和底电极6接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极的针尖7深入相变材料层的内部。探针式电极的针尖呈等腰三角形。其制作实施方法为采用标准CMOS工艺制备绝缘介质中的钨底电极，然后采用湿法腐蚀绝缘介质层使钨底电极暴露，再用电化学腐蚀钨底电极使其形貌为探针状，得到探针式电极和等腰三角形针尖，使W电极的热量损失降低至19％。
-
公开(公告)号：CN101587905B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810037819.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
Abstract: 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory---CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
-
公开(公告)号：CN101935596B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010281508.5
申请日：2010-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。
-
公开(公告)号：CN101436607B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810207813.2
申请日：2008-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C11/56
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
318
records
(took 0.06 seconds)
