一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构

    公开(公告)号:CN117832170B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410245397.4

    申请日:2024-03-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构,该方法包括:在被接基材的表面沉积种子层;在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料;通过光刻技术将光刻材料图形化,形成具有多个目标区域的凸点模板;在每个目标区域内交替沉积空穴模型层和金属层;空穴模型层表征为至少一个颗粒体在目标区域内按照预设参数排列;去除空穴模型层和凸点模板,至少一个颗粒体一一对应形成至少一个孔道,得到多个具有空穴结构的焊接凸点;预设参数包括颗粒体粒径、颗粒体形状和颗粒体间隙中的至少一种。通过本发明提供的制备方法,制备出的焊接凸点缓解了凸点在高温回流焊接过程中产生的热应力,降低了在高温环境下微凸点断连的风险。

    基于微加工器件和工艺的量子领域专用窄线宽激光器

    公开(公告)号:CN117954962A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311793786.2

    申请日:2023-12-25

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开一种基于微加工器件和工艺的量子领域专用窄线宽激光器,属于激光技术领域,包括半导体激光二极管、准直透镜、干涉滤光片、偏振分束立方体、压电陶瓷和角锥外腔反射镜,干涉滤光片滤光后一部分透射到角锥外腔反射镜上后平行返回经过偏振分束立方体,并与半导体激光二极管产生共振形成激光,另一部分从侧面输出,作为激光器输出激光;或者包括半导体激光二极管、准直透镜、布鲁斯特窗口片、干涉滤光片、压电陶瓷和角锥外腔反射镜,布鲁斯特窗口片和干涉滤光片粘合一体实现分光和滤光。本激光器具有结构简单、窄线宽、可调谐、光电转换效率高等优势,同时小型化后的激光器结构具有高机械稳定性,对环境要求较低,具有较好的实用性。

    基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片

    公开(公告)号:CN117747601A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202410190425.7

    申请日:2024-02-21

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片,涉及电子制造领域,包括:提供晶圆基底;对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理,在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽;将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内,以使APD单元与填埋槽的槽底键合,APD单元为APD芯片阵列或APD芯片,APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片;对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理,得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽,并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD基板,该制备方法在保证较高良率的同时,简化生成工艺流程,降低成本,实现高密度、大规模、高性能的大阵列APD基板的制备。

    多孔滤膜辅助的磁珠法免疫检测方法

    公开(公告)号:CN117554606A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311333055.X

    申请日:2023-10-13

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请涉及生化传感技术领域的一种多孔滤膜辅助的磁珠法免疫检测方法,包括:提供磁珠、目标分子抗体、多孔滤膜;并且所述磁珠的粒径大于所述多孔滤膜的孔径;将所述磁珠与所述目标分子抗体偶联,得到免疫磁珠;将待测溶液与所述免疫磁珠混合,在适于免疫反应的条件下进行孵育,得到反应后的溶液;用所述多孔滤膜过滤所述反应后的溶液,然后对所述多孔滤膜进行荧光检测,根据检测结果计算待测溶液中目标分子的浓度。本申请的检测方法实验步骤较少、试剂需求量小,极大简化了操作流程,在多孔滤膜辅助下极大提高了目标分子,特别是万古霉素等小分子物质的检测灵敏度,且重复性好、稳定性高。

    一种栅控微纳流控器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117504955A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311337418.7

    申请日:2023-10-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明属于微纳流体和生化传感技术领域,特别涉及一种栅控微纳流控器件及其制备方法,栅控微纳流控器件包括芯片本体,所述芯片本体上设有第一通道、第二通道、纳流通道和栅控电极,所述第一通道与第一进液口连通;所述第二通道与第二进液口连通;所述纳流通道具有离子选择功能,并连通于所述第一通道和所述第二通道之间;所述栅控电极与所述纳流通道间隔设置,适于调节所述纳流通道的离子选择功能。本发明提供的栅控微纳流控器件具备可调节的富集功能,可以根据不同的工作条件和需求,灵活地改变富集模式,从而满足不同的应用需求。

    一种微纳流控芯片及生化标志物分子的富集检测方法

    公开(公告)号:CN117282481A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311340234.6

    申请日:2023-10-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域,并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的富集检测方法,微纳流控芯片包括芯片本体,所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道,所述第一通道上设有检测区,并与第一注液口连通;所述第二通道与第二注液口连通;所述纳流通道具有离子选择功能,并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构,可以实现生化标志物的高倍数富集和高灵敏度检测,具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势,具有极大的应用价值。

    一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113948636B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202111064414.7

    申请日:2021-09-10

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 张盼 王玮 郭业昌

    Abstract: 本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器,包括:衬底;纳米沟道,设置在所述衬底顶部;金属层,覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面;以及二氧化硅层,覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极,可有效防止漏电流对其他器件的影响,且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外,本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件,既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能,又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外,本发明还涉及所述界面型纳流体忆阻器的制备方法。

    基于液态金属阵列的流场可编码可重构器件

    公开(公告)号:CN117065813A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311068285.8

    申请日:2023-08-23

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 王玮 高旭 申诗涛

    Abstract: 本申请涉及流场可重构领域的一种基于液态金属阵列的流场可编码可重构器件,包括:电解质工质;多个液态金属液滴,阵列布置于所述电解质工质中;多个电极,平均分为多组,多组电极与多个液态金属液滴一一对应,每组的多个电极分布在所对应的液态金属液滴周围;多个液态金属液滴阻挡结构,平均分为多组,多组液态金属液滴阻挡结构与多个液态金属液滴一一对应,每组的若干个液态金属液滴阻挡结构分布在所对应的液态金属液滴周围。本申请的基于液态金属阵列的流场可编码可重构器件可以实现灵活的流场生成与操纵,进一步实现多种微流体器件功能。

    一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备

    公开(公告)号:CN116314016B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310467668.6

    申请日:2023-04-26

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 王玮 林晨希 陈浪

    Abstract: 本申请提供一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,包括:提供硅基衬底;在硅基衬底的第一侧形成第一金属层;对硅基衬底的第二侧进行减薄,以使第一金属层贯穿硅基衬底的第二侧;在硅基衬底的第二侧形成第二金属层;其中,在硅基衬底的第一侧形成第一金属层,包括:对硅基衬底的第一侧进行刻蚀,形成多个盲孔;在盲孔的一侧形成第一金属材料层;对第一金属材料层进行刻蚀,形成第一金属层。本申请通过在硅基衬底一侧直接制备盲孔,避免形成外延层,提升了硅通孔制备工艺的工艺兼容性,降低了硅通孔制备工艺的制作难度以及制作成本。

    一种毫米波封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN113629020B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202110712772.8

    申请日:2021-06-25

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽,并将射频芯片填埋的方式,减小了封装结构的厚度,使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联,也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料,即聚对二甲苯,作为层间的介质层,该材料能够在常温下淀积,与芯片的兼容性好。此外,聚对二甲苯作为介质层,具有优良的介电性能,能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外,本发明的传输线不经过硅衬底,电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线,也能够降低损耗,最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。

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