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公开(公告)号：CN1825649B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610023390.X
申请日：2006-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为GexWyN1-x-y、GexTiyN1-x-y、GexWyO1-x-y、GexTiyO1-x-y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和TiAlN等相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN102034804A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010512040.6
申请日：2010-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/065 , H01L27/115 , H01L21/98 , G11C16/02
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。
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公开(公告)号：CN101329909B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810040952.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。
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公开(公告)号：CN101980109A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010528933.X
申请日：2010-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种无线操控显示系统，包括显示装置、无线操作装置；显示装置包括显示单元、计算机系统、传感器；传感器能够感知和反馈到来自于无线操作装置的光信号，传感器将来自于无线操作装置的操作信号反馈回计算机系统，形成对显示装置和集成计算机系统的非接触式操作；无线操作装置至少包含非触摸控制单元，非触摸控制单元包括定位部分和操作部分；由定位部分来定位所需选择的选项和所需操作的位置；由操作部分来点击选项、进行操作，实现非接触式控制和操作。本发明通过光信号点击装置实现带有传感器阵列显示装置的操作，传感器将操作反馈到计算机系统，实现对显示系统的全方位操作，有望在智能电视系统中获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101582485B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910053119.4
申请日：2009-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb2Se3)100-xYx，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb2Se3)100-xYx存储材料不仅保留了Sb2Se3存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb2Se3存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb2Se3)100-xYx存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826546A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010141273.X
申请日：2010-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级侧壁限制的电阻转换存储器单元及其制造方法，该存储器单元结构，包括：上电极、下电极、以及分别与上电极和下电极相接触的存储单元，在所述存储单元周围设有绝缘材料将其隔离，所述存储单元在平行于电极方向的横截面为平行四边形，且所述平行四边形的其中一边长为另一边长的1.5倍以上，所述存储单元与所述一电极的接触面积等于或大于其与所述另一电极的接触面积。本发明通过绝缘侧壁限制了存储单元的体积，有效地缩小了存储单元与电极的接触面积，降低了功耗，而且绝缘侧壁对存储单元还起到了绝缘、绝热、抗扩散的作用，从而可提升存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN101572290B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910052406.3
申请日：2009-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中O2气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm左右，利用等离子刻蚀的技术刻蚀TiN薄膜，最后清洗光刻胶得到40nm～100nm的柱状纳米加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。本发明不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其他电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101794863A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127277.2
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种电阻存储器装置，所述装置包含一对电极，电极对之间是存储材料；存储材料由两种以上的固体混合而成，其中至少有一固体具备相变能力，至少有一固体不具备相变能力；所述存储器装置在电信号的作用下能够实现器件在高、低电阻之间的转换。本发明的电阻存储器中的存储材料中包含一种及一种以上的相变材料，此外还包含不具备相变能力的功能材料；本发明能够将器件的功耗进一步地缩小，且提升热稳定性。
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公开(公告)号：CN101494196B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910045929.5
申请日：2009-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法，其首先利用CVD技术在衬底上依次沉积第一介质材料层、相变材料层、第二介质材料层，然后利用90nm以下CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在已形成的结构上制备纳米图形，并利用RIE将其干法刻蚀成纳米柱状结构，接着再利用CVD技术在纳米柱状结构上沉积一绝缘层，并利用化学机械抛光技术将其磨平至所述第二介质材料层，接着利用CVD技术在已磨平的结构上沉积作为上电极材料的金属层，最后利用90nm以下CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在金属层上刻蚀形成纳米上电极图形以得到纳米相变存储单元阵列，如此可制备出100nm以下的高密度低功耗的纳米相变存储单元阵列。
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公开(公告)号：CN101770164A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044948.6
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构压印硬模板，属于纳米制造领域。其特征在于：利用多孔阳极氧化铝(AAO)膜技术制备硬质材料基底多孔模板，通过增加硬质基底和表面修饰处理后直接作压印(自上而下)模板。多孔阳极氧化铝膜可以自组织生长成六度对称的有序多孔结构，孔洞陡直且分布均匀，用它作为模板通过热蒸发、溅射和沉积以及电化学组装等定向组装(自下而上)的加工方法已经制备出各种具有光学、电学和磁学等性能的纳米结构和器件。本发明通过增加硬质材料基底和表面修饰处理将AAO模板技术移植到自上而下的表面微结构加工领域，这种纳米级高密度结构压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。同时，由于增加了硬质基底，克服了现有AAO模板脆且易碎的缺点，更利于软模板复制。
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