一种玻璃表面多孔结构的制备方法

    公开(公告)号:CN108191254A

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201810140291.2

    申请日:2018-02-11

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种玻璃表面多孔结构的制备方法,将腐蚀溶液雾化形成液滴对玻璃进行腐蚀。本发明的玻璃表面多孔结构的制备方法成本较低,废液处理较为简单;无需采用大型的物理沉积或者刻蚀设备,方法简单易行;制备出的多孔结构均匀,且该多孔结构制备方法具有普适性,能够在各种玻璃片和玻璃制品上的表面制备出多孔结构,具有很强的市场前景。

    一种金纳米环的制备方法
    202.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105478797B

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201511008039.9

    申请日:2015-12-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种金纳米环的制备方法,包括如下步骤:将钯纳米片,抗坏血酸和分散剂溶解于溶剂中;所述的钯纳米片中钯原子在溶液中的浓度为2.0×10‑4~1.4×10‑3mol/L;所述的抗坏血酸在溶液中的浓度为0.1~0.5mol/L;然后将氯金酸水溶液注入到上述的溶液,在0~35℃下反应,得到金纳米环;所述的氯金酸与钯纳米片中钯原子的摩尔比为7:1~25:1。该制备方法简单,重复性高,成本低,制备得到的金纳米环具有空心结构,尺寸均匀、分散性好,而且尺寸与壁厚都可以调控。

    一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法

    公开(公告)号:CN104142464B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201410388836.3

    申请日:2014-08-08

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法,包括以下步骤:(1)分别选取一系列p型和n型的电子级单晶硅作为标准样品,室温下并分别测量其电阻率和红外吸收系数,并根据其电阻率换算成对应的载流子浓度;(2)根据步骤(1)的测量结果,分别建立p型和n型单晶硅的αλ/λ2与ρp2的标准曲线,其中:αλ为波长为λ下所述标准样品的红外吸收系数,p与ρ分别为对应的载流子浓度和电阻率;(3)测定太阳能级单晶硅待测样品的导电类型,并在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数,根据步骤(2)中对应的标准曲线得出载流子浓度。本方法简便快捷、精确度高、测试成本低,尤其适用于基体内存在补偿效应的太阳能级单晶硅。

    一种衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法

    公开(公告)号:CN104201332B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410406333.4

    申请日:2014-08-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法,所述锂离子电池负极由衬底、生长在衬底上的钴纳米线阵列以及沉积在钴纳米线阵列上的电极材料组成。所述制备方法包括以下步骤:(1)以钴盐和尿素为原料,通过水热反应在衬底上合成氧化亚钴纳米线阵列;(2)将所述氧化亚钴纳米线阵列还原为钴纳米线阵列;(3)在纳米线阵列上沉积电极材料。本发明通过在衬底上生长钴纳米线阵列,再将硅沉积在钴纳米线阵列上,提高了硅与集流体的结合力,同时给硅材料形变提供了缓冲空间,进而提高了锂离子电池负极的电化学性能。另外该本发明方法工艺简单,成本低,易于推广。

    具有敏化效果的硅酸铒及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104787773B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201510157516.1

    申请日:2015-04-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有敏化效果的硅酸铒的制备方法,将铒可溶化合物溶解于溶剂中得到的溶液旋涂于多孔硅表面,直至旋涂量达到4.44×10-3~8.89×10-2ml/cm2,烘干后,依次经两步热处理得到具有敏化效果的硅酸铒。制备得到的硅酸铒为由纳米硅柱及包覆在纳米硅柱表面的单层硅酸铒组成的核壳结构,有较好的敏化效果,在非共振激发光下仍有较好发光,可应用于硅基光电集成和光通信等领域。

    一种锂离子电池负极的制备方法

    公开(公告)号:CN104201338B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201410405873.0

    申请日:2014-08-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池负极的制备方法,包括以下步骤:(1)以钴盐和尿素为原料,通过水热反应结合热处理在衬底上合成氧化亚钴纳米线阵列;(2)在氧化亚钴纳米线阵列上沉积电极材料,得到锂离子电池负极。本发明具有生产工艺简单,重现性好,生产成本低廉的优点,本发明制得的锂离子电池负极具有高比容量以及优越的循环性能,在500mA的电流密度下,20次循环以后,比容量大约900mAh/g。

    一种铑纳米晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN103696000B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310615861.6

    申请日:2013-11-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种铑纳米晶,所述铑纳米晶具有{111}晶面外露的二十面体形貌。本发明还公开了一种铑纳米晶的制备方法,具体步骤为:将乙酰丙酮铑和聚乙烯吡咯烷酮溶解于苯甲醇中得到混合溶液,该混合溶液在170~200℃下水热反应5~15h,得到所述的铑纳米晶。本发明第一次制备出{111}晶面外露的铑二十面体纳米晶,具有较重要的学术和现实意义;铑二十面体纳米晶的孪晶结构可以增强其在催化反应中的吸附作用,从而在氢反应、加氢甲酰化、烃化等反应中具有更加优异的催化性能。本发明采用的制备方法简单,所用试剂较为便宜,无毒无害,易实现。

    一种高容量的多孔硅材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105845918A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610164517.3

    申请日:2016-03-22

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: H01M4/386 C01B33/021 H01M10/0525

    Abstract: 本发明公开了一种具有高容量的多孔硅材料的制备方法,其特征在于,具体为:将硅化镁粉末置于氮气气氛下,经600~800℃的热处理后,再经酸洗及后处理得到所述的具有高容量的多孔硅材料。本发明提供了一种具有高容量的多孔硅材料的制备方法,以氮气气氛代替空气气氛,在制备多孔硅的同时,避免了硅的氧化,且无需采用高挥发性的氢氟酸进行处理,工艺简单,高效环保。制备得到的多孔硅中的氧含量极低,作为负极材料应用于锂离子电池中,将显著提高锂离子电池的比容量和循环稳定性。

    一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法及其产品和应用

    公开(公告)号:CN104143588B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201410351677.X

    申请日:2014-07-23

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法,包括以下步骤:首先对N型硅片表面进行亲水处理,再通过旋涂或层层自组装的方法在亲水处理后的N型硅片表面制备厚度可控的超薄氧化石墨烯薄膜,最后经热处理得到钝化后的硅片。本发明还公开了制备得到的钝化后的硅片在太阳能电池,尤其是在硅-石墨烯原型电池中的应用。本发明提供了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法,通过溶液法在硅片表面形成氧化石墨烯超薄(

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